模擬集成電路設(shè)計(jì)：基于華大九天集成電路全流程設(shè)計(jì)平臺(tái)Aether

定　價(jià)：￥89.00

作　者：	聶凱明
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121487484	出版時(shí)間：	2024-09-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁(yè)數(shù)：		字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書主要介紹模擬集成電路的分析和設(shè)計(jì)，每章均配有基于華大九天Empyrean Aether 的實(shí)例，注重理論基礎(chǔ)和實(shí)踐的結(jié)合。全書共13 章，前6 章從半導(dǎo)體物理和器件物理的基礎(chǔ)開始，逐步講解并分析模擬集成電路中的各種基本模塊；第7 章介紹帶隙基準(zhǔn)電路；第8～10 章主要討論模擬電路的噪聲、反饋和穩(wěn)定性、運(yùn)算放大器等內(nèi)容；第11～13 章針對(duì)常用的復(fù)雜模擬集成電路展開討論，主要括開關(guān)電容放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器與數(shù)模轉(zhuǎn)換器、鎖相環(huán)等。本書點(diǎn)如下：（1）本書是國(guó)內(nèi)第一本基于國(guó)產(chǎn)EDA工具講授模擬IC設(shè)計(jì)的理論和實(shí)踐教材，對(duì)書中的案例配以詳細(xì)的實(shí)踐案例；（2）本書從基礎(chǔ)理論出發(fā)，系統(tǒng)全面講解了模擬IC設(shè)計(jì)的全內(nèi)容，并配以詳盡的原理闡釋、公式推導(dǎo)和案例分析；（3）本書內(nèi)容體系完備，不僅可用于本科生模擬IC設(shè)計(jì)的入門教材，也可用于研究生段進(jìn)一步深入學(xué)的教材

作者簡(jiǎn)介

暫缺《模擬集成電路設(shè)計(jì)：基于華大九天集成電路全流程設(shè)計(jì)平臺(tái)Aether》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

第1 章緒論 ................................................................................................................................. 1
1.1 模擬集成電路的應(yīng)用 .................................................................................................... 1
1.2 模擬集成電路設(shè)計(jì)流程 ................................................................................................ 2
1.3 華大九天Empyrean Aether 簡(jiǎn)介 .................................................................................. 3
第2 章 MOS 器件的基礎(chǔ)性 ................................................................................................... 5
2.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ) ............................................................................................................ 5
2.1.1 單晶硅的晶體結(jié)構(gòu) ............................................................................................. 5
2.1.2 半導(dǎo)體能帶理論及載流子濃度 ......................................................................... 6
2.1.3 施主與受主雜質(zhì) ................................................................................................. 8
2.1.4 載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ......................................................................... 9
2.2 PN 結(jié) ............................................................................................................................ 10
2.3 MIS 結(jié)構(gòu) ...................................................................................................................... 12
2.4 MOSFET 結(jié)構(gòu)及其基本制造工藝流程 ..................................................................... 13
2.4.1 MOSFET 結(jié)構(gòu) .................................................................................................. 13
2.4.2 基本制造工藝流程 ........................................................................................... 14
2.5 MOSFET 的電學(xué)性 ................................................................................................. 20
2.5.1 閾值電壓 ........................................................................................................... 20
2.5.2 I-V 性分析 ..................................................................................................... 24
2.5.3 MOS 器件電容 ................................................................................................. 28
2.5.4 小信號(hào)模型 ....................................................................................................... 29
2.6 MOSFET 的I-V 性分析 .................................................................................. 30
題 ....................................................................................................................................... 32