基于表面改性的氮化鎵納米材料

1緒論（1）
1.1Ⅲ-V族半導(dǎo)體納米材料（1）
1.1.1GaN基半導(dǎo)體納米線（1）
1.1.2GaN基半導(dǎo)體納米薄膜（3）
1.2類石墨烯納米材料（4）
1.3Ⅲ-V族半導(dǎo)體和類石墨烯納米材料電磁學(xué)性能調(diào)控方法（5）
1.3.1表面修飾（5）
1.3.2化學(xué)摻雜（7）
1.3.3襯底的影響（9）
1.3.4量子禁閉和應(yīng)變（10）
1.3.5電場的影響（12）
1.4本書的主要內(nèi)容（13）
2模擬計(jì)算方法（14）
2.1基于密度泛函理論的第一性原理（14）
2.2Materials Studio軟件（15）
2.3DMol3模塊（16）
2.3.1DMol3 Task（任務(wù)）具體操作（17）
2.3.2DMol3 Analysis（DMol3分析）（45）
3外場下GaN/InN核殼納米線的電學(xué)性質(zhì)（52）
3.1引言（52）
3.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)（54）
3.2.1模擬計(jì)算細(xì)節(jié)（54）
3.2.2在DMol3模塊中電場的計(jì)算（54）
3.3GaN和InN的晶體結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)（54）
3.4表面修飾的GaN/InN核殼納米線（58）
3.5外部應(yīng)變下GaN/InN核殼納米線（66）
3.6本章小結(jié)（74）

4外場下表面修飾的氮化鎵納米薄膜的電磁學(xué)性質(zhì)（75）
4.1引言（75）
4.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)（75）
4.3完全表面修飾的氮化鎵納米薄膜電學(xué)性質(zhì)（76）
4.4半表面修飾的氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)（79）
4.4.1對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氫化（81）
4.4.2對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氟化（83）
4.4.3對(duì)表面鎵原子進(jìn)行氯化（83）
4.4.4對(duì)表面氮原子進(jìn)行表面修飾（85）
4.4.5半表面修飾的氮化鎵納米薄膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性（86）
4.5外部應(yīng)變下兩層半氫化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)（87）
4.6外部應(yīng)變下兩層半氟化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)（92）
4.7電場下兩層半氯化氮化鎵納米薄膜電磁學(xué)性質(zhì)（98）
4.8本章小結(jié)（105）
5外電場下錫烯/有機(jī)分子體系的電學(xué)性質(zhì)（107）
5.1引言（107）
5.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說明（108）
5.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)（108）
5.2.2結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的判據(jù)（108）
5.2.3帶隙的判據(jù)（108）
5.2.4載流子遷移率的判據(jù)（109）
5.3外電場作用下C6H6/錫烯體系（109）
5.3.1C6H6/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型（110）
5.3.2無外電場下C6H6/錫烯體系（110）
5.3.3外電場下C6H6/錫烯體系（114）
5.4外電場作用下C6F6/錫烯體系（119）
5.4.1C6F6/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型（119）
5.4.2無外電場下C6F6/錫烯體系（119）
5.4.3外電場作用下C6F6/錫烯體系（122）
5.5外電場作用下C6H4F2/錫烯體系（127）
5.5.1C6H4F2/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型（127）
5.5.2無外電場下C6H4F2/錫烯體系（127）
5.5.3外電場下C6H4F2/錫烯體系（131）
5.6本章小結(jié)（135）
6錫烯作為潛在高靈敏度傳感器件探測有毒有機(jī)小分子（136）
6.1引言（136）
6.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說明（136）
6.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)（136）
6.2.2相關(guān)公式說明（137）
6.3外電場下錫烯吸附C6H7N（137）
6.3.1C6H7N/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型（137）
6.3.2外電場作用下C6H7N/錫烯體系（138）
6.4外電場下錫烯吸附C6H5Cl（140）
6.4.1C6H5Cl/錫烯體系的結(jié)構(gòu)模型（140）
6.4.2外電場作用下C6H5Cl/錫烯體系（141）
6.5本章小結(jié)（143）
7電場調(diào)控類石墨烯范德華異質(zhì)薄膜帶隙的第一性原理研究（143）
7.1引言（144）
7.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)（144）
7.3單層SiC納米薄膜和完全氫化的HBNH薄膜（145）
7.4不同堆垛方式的異質(zhì)薄膜模型的優(yōu)化（146）
7.5不同堆垛方式的異質(zhì)薄膜的電學(xué)性質(zhì)（147）
7.6電場調(diào)控異質(zhì)薄膜的電學(xué)性質(zhì)（149）
7.7本章小結(jié)（152）
8錫烯/XS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系的電學(xué)性質(zhì)（154）
8.1引言（154）
8.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)及相關(guān)公式說明（155）
8.2.1模擬方法和計(jì)算參數(shù)（155）
8.2.2相關(guān)公式說明（155）
8.3錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（156）
8.3.1無外場下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（157）
8.3.2外加電場下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（159）
8.3.3外部應(yīng)變下錫烯/MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（161）
8.4錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（163）
8.4.1無外場下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（164）
8.4.2外加電場下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（165）
8.4.3外部應(yīng)變下錫烯/WS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（168）
8.5錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（169）
8.5.1無外場下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（170）
8.5.2外加電場下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（171）
8.5.3外部應(yīng)變下錫烯/MoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（173）
8.6錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（175）
8.6.1無外場下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（176）
8.6.2外加電場下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（177）
8.6.3外部應(yīng)變下錫烯/WSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)體系（179）
8.7本章小結(jié)（181）
9有機(jī)分子吸附和襯底調(diào)控鍺烯的電子結(jié)構(gòu)研究（183）
9.1引言（183）
9.2模擬計(jì)算細(xì)節(jié)（185）
9.3有機(jī)分子/鍺烯體系（185）
9.3.1苯/鍺烯體系（186）
9.3.2六氟苯/鍺烯體系（190）
9.4有機(jī)分子/鍺烯/鍺烷體系（194）
9.4.1苯/鍺烯/鍺烷體系（195）
9.4.2六氟苯/鍺烯/鍺烷體系（198）
9.5本章小結(jié)（200）
參考文獻(xiàn)（202）