壓電微機(jī)電諧振器

目錄
譯者序
原書前言
作者名單
第Ⅰ部分MEMS諧振器壓電材料
第1章AlN薄膜的基本性質(zhì)與制造工藝3
1.1簡(jiǎn)介3
1.2反應(yīng)磁控濺射沉積法制備AlN薄膜8
1.2.1用于c軸織構(gòu)化的壓電薄膜的生長(zhǎng)工藝8
1.2.2襯底表面粗糙度的影響:薄膜生長(zhǎng)與厚度的關(guān)系15
1.2.3其他生長(zhǎng)問題:氧雜質(zhì)和再生問題17
1.3性質(zhì)和表征19
1.3.1從頭計(jì)算法的研究26
1.4AlN-ScN合金薄膜26
參考文獻(xiàn)28
第2章PZT在微納機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用32
2.1PZT壓電薄膜32
2.1.1沉積工藝32
2.1.2刻蝕工藝38
2.1.3器件設(shè)計(jì)問題41
2.1.4基于PZT的諧振器件44
2.1.5小結(jié)55
致謝56
參考文獻(xiàn)56
第3章GaN在微納機(jī)電系統(tǒng)中的應(yīng)用61
3.1簡(jiǎn)介61
3.1.1簡(jiǎn)史61
3.1.2GaN技術(shù)61
3.1.3GaN的優(yōu)勢(shì)63
3.2GaN諧振器的換能原理64
3.2.1無源壓電轉(zhuǎn)換64
3.2.2壓阻換能67
3.2.3GaN諧振體晶體管69
3.3應(yīng)用73
3.3.1基于GaN的物理諧振傳感器73
3.3.2基于GaN的頻率合成器和計(jì)時(shí)器75
3.4對(duì)未來的展望76
參考文獻(xiàn)79
第4章LiNbO3材料在微納機(jī)電諧振器中的應(yīng)用84
4.1LiNbO3材料和薄膜的發(fā)展歷史85
4.2LiNbO3的材料特性87
4.3LiNbO3薄膜的體聲波振動(dòng)模態(tài)89
4.4LiNbO3薄膜的微加工
工藝95
4.5LiNbO3器件的設(shè)計(jì)和性能101
4.6LiNbO3器件的討論和未來的應(yīng)用105
參考文獻(xiàn)107
第Ⅱ部分壓電MEMS諧振器的設(shè)計(jì)
第5章壓電MEMS諧振器中的品質(zhì)因數(shù)與耦合115
5.1簡(jiǎn)介115
5.2品質(zhì)因數(shù)115
5.2.1損耗的來源116
5.2.2有關(guān)損耗的討論122
5.3耦合因數(shù)123
5.3.1壓電耦合因數(shù)123
5.3.2有效機(jī)電耦合因數(shù)124
5.3.3耦合因數(shù)的討論125
5.4優(yōu)值（FOM）與小結(jié)126
參考文獻(xiàn)126
第6章?lián)闲詨弘娭C振器131
6.1簡(jiǎn)介131
6.2層壓板力學(xué)131
6.2.1固有頻率132
6.2.2薄膜壓電系數(shù)133
6.3能量法振動(dòng)分析134
6.4一維諧振器135
6.4.1雙端固支梁分析136
6.4.2固有頻率138
6.4.3雙端口諧振器138
6.5二維諧振器140
6.5.1方形板141
6.5.2圓形板142
6.5.3示例——多振動(dòng)模態(tài)的耦合預(yù)測(cè)145
參考文獻(xiàn)146
第7章橫向振動(dòng)壓電MEMS諧振器148
7.1簡(jiǎn)介148
7.2工作原理148
7.3材料153
7.4頻率縮放155
7.5制造技術(shù)156
7.6原型器件示例157
參考文獻(xiàn)165
第8章BAW壓電諧振器171
8.1簡(jiǎn)介171
8.2BVD模型171
8.3Mason等效電路176
8.4諧振器結(jié)構(gòu)178
8.5材料選擇180
8.6橫向波傳播181
8.7小結(jié)184
參考文獻(xiàn)184
第9章剪切壓電MEMS諧振器186
9.1MEMS諧振器的介紹186
9.2壓電剪切模式187
9.3壓電厚度剪切原理188
9.4石英晶體的切割角191
9.5器件尺寸對(duì)頻率的影響192
9.6厚度剪切模式的仿真192
9.7溫度對(duì)諧振頻率的影響193
9.8等效電路196
9.9厚度剪切器件的制造197
9.10原型器件示例199
9.11未來的發(fā)展203
9.12小結(jié)203
參考文獻(xiàn)203
第10章壓電微諧振器的溫度補(bǔ)償205
10.1簡(jiǎn)介205
10.2諧振頻率的溫度靈敏度205
10.3無源補(bǔ)償技術(shù)206
10.3.1基于諧振器組成設(shè)計(jì)的補(bǔ)償方法206
10.3.2基于材料特性的補(bǔ)償方法209
10.3.3其他無源補(bǔ)償技術(shù)211
10.4有源補(bǔ)償技術(shù)212
參考文獻(xiàn)215
第11章計(jì)算建模的挑戰(zhàn)217
11.1簡(jiǎn)介217
11.2計(jì)算頻率響應(yīng)所面臨的挑戰(zhàn)218
11.2.1動(dòng)機(jī)218
11.2.2頻率響應(yīng)計(jì)算220
11.3能量損耗機(jī)制建模224
11.3.1錨損耗225
11.3.2熱彈性耗散227
11.3.3流體阻尼229
11.4靜態(tài)和動(dòng)態(tài)非線性231
11.4.1殘余應(yīng)力231
11.4.2源自高功率的非線性232
11.5小結(jié)233
致謝234
參考文獻(xiàn)234
第Ⅲ部分壓電MEMS諧振器的制造工藝和可靠性
第12章實(shí)現(xiàn)壓電MEMS諧振器
的制造工藝流程239
12.1簡(jiǎn)介239
12.2AlN壓電材料的沉積240
12.3純壓電諧振器的制造工藝流程243
12.4襯底上壓電諧振器的制造工藝流程244
12.5MEMS諧振器三維轉(zhuǎn)換的側(cè)壁AlN工藝246
12.6具有集成HEMT讀出功能的AlGaN/GaN諧振器的制造工藝流程249
參考文獻(xiàn)250
第13章可靠性與質(zhì)量評(píng)估（穩(wěn)定性與封裝）253
13.1諧振器需求的發(fā)展253
13.2頻率控制器件的挑戰(zhàn)：器件壽命和關(guān)鍵性應(yīng)用254
13.3評(píng)估規(guī)則的制定254
13.4IC和機(jī)電器件的挑戰(zhàn)255
13.5頻率控制器件的前景255
13.6美國軍方標(biāo)準(zhǔn)256
13.7JEDEC標(biāo)準(zhǔn)256
13.8其他標(biāo)準(zhǔn)257
13.9工藝與生產(chǎn)監(jiān)控258
13.10頻率控制產(chǎn)品的其他規(guī)范258
13.10.1對(duì)溫度變化的反應(yīng)259
13.10.2擾動(dòng)259
13.10.3電源噪聲敏感度259
13.10.4系統(tǒng)注入噪聲259
13.10.5低頻漂移259
13.10.6長(zhǎng)期老化261
13.10.7EMI輻射261
13.11對(duì)未來的展望261
13.11.1器件尺寸261
13.11.2器件電源電壓和功率261
13.11.3器件成本262
13.11.4自檢測(cè)262
第14章大批量測(cè)試與校準(zhǔn)263
14.1生產(chǎn)測(cè)試的目的264
14.2生產(chǎn)測(cè)試的考慮因素265
14.3測(cè)試策略的形成265
14.4剔除方法266
14.4.1電學(xué)剔除方式266
14.4.2視覺剔除方式270
14.5測(cè)試和剔除分析流程273
14.6在測(cè)試執(zhí)行中的考慮274
14.6.1缺陷編碼系統(tǒng)274
14.6.2測(cè)試程序的接口設(shè)計(jì)275
14.6.3標(biāo)定探針的設(shè)置275
14.6.4數(shù)據(jù)處理與自動(dòng)化275
14.7測(cè)試時(shí)間的縮減276
14.7.1多站點(diǎn)測(cè)試276
14.7.2測(cè)試程序的優(yōu)化276
14.7.3硬件或軟件277
14.7.4數(shù)據(jù)文件格式277
14.8校準(zhǔn)277
14.9小結(jié)278
參考文獻(xiàn)278
第Ⅳ部分實(shí)際應(yīng)用
第15章用于移動(dòng)設(shè)備的高頻振蕩器281
15.1了解移動(dòng)設(shè)備中時(shí)鐘需求的多樣性283
15.2聲學(xué)器件的重要性285
15.2.1諧振器Q值的重要性285
15.2.2目前阻礙使用集成電路解決方案來提供時(shí)鐘和頻率的原因285
15.3振蕩器中的相位噪聲286
15.4Sand 9壓電MEMS諧振器的發(fā)展歷史290
15.4.1早期原型290
15.4.2使用芯片級(jí)封裝壓電MEMS諧振器VC-TCXO294
15.4.3125MHz VC-TCXO的壓電MEMS概念298
15.5集成MEMS諧振器308
15.5.1集成蜂窩收發(fā)器310
15.6成果311
15.7了解商用的MEMS時(shí)鐘314
15.8MEMS蜂窩時(shí)鐘器件的商用案例315
15.9現(xiàn)狀317
15.9.1MEMS時(shí)鐘革命何時(shí)發(fā)生318
15.9.2如何用LLQ模擬Xtal 318
15.10MEMS時(shí)鐘的價(jià)值319
15.11小結(jié)319
致謝320
參考文獻(xiàn)321
第16章用于移動(dòng)通信的BAW濾波器和雙工器324
16.1簡(jiǎn)介324
16.2BAW簡(jiǎn)史324
16.3用于智能手機(jī)的濾波器的類型326
16.4尺寸和性能的發(fā)展328
16.5插入損耗330
16.6端口的阻抗和匹配331
16.7抑制和隔離335
16.8功率承受和可靠性337
16.9溫度效應(yīng)338
16.10群延時(shí)340
16.11濾波器和雙工器的線性度340
16.12封裝和RF模塊的集成341
16.13濾波器的設(shè)計(jì)方法342
16.14LTE載波聚合解決方案345
參考文獻(xiàn)346
后記——關(guān)于壓電微機(jī)電諧振器重要參數(shù)的討論347
參考文獻(xiàn)351