抗輻射集成電路設(shè)計(jì)理論與方法

目錄

第1章輻射環(huán)境介紹
1.1空間輻射環(huán)境
1.1.1背景知識(shí)
1.1.2高能離子
1.1.3俘獲電子
1.1.4俘獲質(zhì)子
1.1.5太陽宇宙射線
1.1.6銀河宇宙射線
1.2高能物理輻射環(huán)境
1.3核輻射環(huán)境
1.3.1核爆炸輻射環(huán)境
1.3.2核反應(yīng)堆輻射環(huán)境
1.4地面輻射環(huán)境
1.4.1大氣輻射環(huán)境
1.4.2地輻射環(huán)境
1.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章輻射相互作用物理過程
2.1半導(dǎo)體材料中輻射的相互作用
2.1.1簡介
2.1.2電磁相互作用
2.1.3強(qiáng)子的相互作用
2.1.4弱相互作用
2.1.5相互作用的過程
2.2輻射輸運(yùn)
2.2.1玻爾茲曼傳輸方程
2.2.2計(jì)算技術(shù)
2.2.3輻射輸運(yùn)仿真工具介紹
2.3應(yīng)用實(shí)例
2.3.1地球軌道電子環(huán)境
2.3.2木星的輻射環(huán)境
2.3.3行星環(huán)境
2.3.4單粒子效應(yīng)和軌道結(jié)構(gòu)的詳細(xì)建模
2.3.5趨勢
2.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章電離總劑量效應(yīng)
3.1概述
3.2電離總劑量
3.2.1電離損傷概述
3.2.2氧化物俘獲電荷
3.2.3界面態(tài)陷阱
3.2.4MOS器件中的1/f噪聲
3.3深亞微米工藝的輻射效應(yīng)
3.3.1超小尺寸體硅CMOS工藝
3.3.2全耗盡型SOI的總劑量效應(yīng)
3.3.3超薄氧化物
3.3.4高k電介質(zhì)
3.4亞100nm CMOS工藝下的總劑量效應(yīng)
3.4.1概述
3.4.2實(shí)驗(yàn)詳情
3.4.3尺寸縮小對(duì)截止態(tài)電流的影響
3.4.4同一工藝節(jié)點(diǎn)上不同工藝類型的截止態(tài)電流
3.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章位移損傷效應(yīng)
4.1背景信息
4.1.1早期的位移損傷效應(yīng)研究
4.1.2位移損傷機(jī)制及效應(yīng)的定性概述
4.2一致位移損傷效應(yīng)
4.3非一致位移損傷效應(yīng)
4.4位移損傷退火
4.4.1注入退火
4.4.2短期退火
4.4.3長期退火
4.5非電離能量損失和損傷相關(guān)性
4.5.1非電離能量損失率概念
4.5.2器件行為的NIEL相關(guān)性
4.5.3NIEL計(jì)算的進(jìn)一步發(fā)展
4.5.4NIEL的使用約束
4.6位移損傷的演變和趨勢
4.7本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章單粒子效應(yīng)
5.1單粒子效應(yīng)概述
5.1.1硅半導(dǎo)體中的單粒子效應(yīng)產(chǎn)生原理
5.1.2專有名詞
5.1.3存儲(chǔ)器中的單粒子翻轉(zhuǎn)機(jī)制
5.1.4數(shù)字電路中的單粒子效應(yīng)機(jī)制
5.2新型器件和電路的發(fā)展趨勢
5.2.1半導(dǎo)體發(fā)展路線圖
5.2.2現(xiàn)代工藝中的縮小效應(yīng)
5.3本底輻射的敏感度增強(qiáng)效應(yīng)
5.3.1低能質(zhì)子
5.3.2大氣μ子
5.3.3低α材料問題
5.4新興器件和相關(guān)機(jī)制
5.4.1絕緣體硅工藝
5.4.2多柵極器件
5.4.3體硅和絕緣體硅FinFET晶體管
5.4.4具有獨(dú)立柵極的多柵極和多溝道器件
5.4.5ⅢⅤ族FinFET和隧道場效應(yīng)管
5.4.6無結(jié)器件
5.5三維集成
5.6本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章單粒子閂鎖機(jī)制加固策略及測試方法
6.1閂鎖機(jī)制
6.2閂鎖加固策略
6.3電氣閂鎖測試
6.4單粒子閂鎖測試
6.4.1單個(gè)粒子誘發(fā)閂鎖測試
6.4.2脈沖激光誘發(fā)閂鎖測試
6.5單粒子閂鎖加固策略有效性
6.6本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章輻射加固器件的SPICE模型
7.1環(huán)柵版圖晶體管介紹
7.2環(huán)柵版圖晶體管建模技術(shù)
7.2.1寬長比
7.2.2輸出電阻
7.2.3電容
7.2.4仿真方法
7.3實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論
7.3.1矩形晶體管比較
7.3.2環(huán)柵版圖晶體管比較
7.3.3梯形晶體管比較
7.4其他加固器件的建模
7.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章抗輻射單元庫設(shè)計(jì)
8.1組合邏輯加固
8.1.1單粒子閂鎖加固
8.1.2總劑量加固
8.1.3總體加固影響
8.2組合單元優(yōu)化
8.2.1晶體管尺寸的限制
8.2.2手動(dòng)布局改進(jìn)
8.2.3自動(dòng)布局布線改進(jìn)
8.3觸發(fā)器加固
8.3.1傳統(tǒng)時(shí)間冗余加固
8.3.2傳統(tǒng)三模冗余加固
8.3.3高速三模冗余加固
8.3.4功耗和延遲比較
8.3.5輻射測試
8.4存儲(chǔ)器單元加固
8.4.16管存儲(chǔ)單元
8.4.2HIT存儲(chǔ)單元
8.4.3DICE存儲(chǔ)單元
8.4.410管存儲(chǔ)單元
8.4.5幾種抗輻射加固單元的性能對(duì)比
8.5單元庫參數(shù)提取
8.5.1抽象生成
8.5.2單元提取
8.5.3單元庫特性
8.5.4單元庫文件提取實(shí)例
8.6本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章自動(dòng)綜合的抗輻射數(shù)字電路設(shè)計(jì)
9.1自定義CAD工具
9.2綜合
9.3布局
9.4三模冗余
9.4.1布圖規(guī)劃解析
9.4.2網(wǎng)表解析
9.4.3布局解析
9.5布線
9.6時(shí)序分析和驗(yàn)證
9.7片外邏輯接口
9.8片上邏輯接口
9.9芯片接口實(shí)例
9.9.1雙模冗余接口
9.9.2高速緩存接口
9.10雙模冗余嵌入式處理器設(shè)計(jì)實(shí)例
9.11本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章模擬和混合信號(hào)電路加固設(shè)計(jì)
10.1模擬和混合信號(hào)電路的單粒子效應(yīng)
10.1.1單粒子機(jī)制
10.1.2模擬單粒子瞬態(tài)
10.1.3運(yùn)算放大器的單粒子效應(yīng)
10.2偏置相關(guān)的單粒子效應(yīng)模型
10.3電荷共享加固設(shè)計(jì)方法
10.3.1差分電荷消除版圖
10.3.2敏感節(jié)點(diǎn)有源電荷消除
10.4節(jié)點(diǎn)分裂加固設(shè)計(jì)方法
10.4.1開關(guān)電容電路加固方法
10.4.2運(yùn)算放大器加固方法
10.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第11章集成電路輻射效應(yīng)仿真
11.1單粒子效應(yīng)建模和仿真問題
11.1.1器件級(jí)建模方法
11.1.2電路級(jí)建模方法
11.1.3蒙特卡羅仿真工具
11.2單粒子效應(yīng)仿真實(shí)例
11.2.1設(shè)計(jì)仿真電路模型
11.2.2SRAM三維建模： Gds2Mesh
11.2.3查看結(jié)果
11.3總劑量效應(yīng)仿真
11.3.1概述
11.3.2方法
11.4位移損傷仿真
11.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第12章單粒子效應(yīng)的脈沖激光測試原理
12.1概述
12.2激光測試技術(shù)基礎(chǔ)
12.2.1激光測試技術(shù)的分類
12.2.2激光產(chǎn)生率建模
12.2.3激光與重離子產(chǎn)生率的對(duì)比
12.3用于集成電路測試的脈沖激光系統(tǒng)
12.3.1激光測試的基本原理
12.3.2實(shí)驗(yàn)平臺(tái)
12.3.3自動(dòng)化測試
12.3.4其他系統(tǒng)
12.4激光系統(tǒng)的應(yīng)用舉例
12.4.1單粒子翻轉(zhuǎn)激光截面
12.4.2商業(yè)SRAM芯片的激光測試方法
12.4.3雙光子吸收誘發(fā)載流子的激光單粒子效應(yīng)測試
12.5本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第13章輻射加固保障測試
13.1實(shí)驗(yàn)室輻射源
13.1.1總劑量輻射源
13.1.2單粒子效應(yīng)粒子加速器
13.1.3輻射源的選擇
13.2總劑量輻射加固保障測試
13.2.1總劑量輻射加固保障測試方法
13.2.2劑量率增強(qiáng)效應(yīng)
13.2.3輻射前升溫應(yīng)力(老化)效應(yīng)
13.2.4輻射保障測試的實(shí)驗(yàn)室源
13.2.5壞情況偏置
13.2.6測試溫度的影響
13.3單粒子效應(yīng)輻射加固保障測試
13.3.1簡介
13.3.2單粒子翻轉(zhuǎn)
13.3.3單粒子閂鎖
13.3.4單粒子燒毀和單粒子?xùn)糯?br />13.4本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
附錄A