絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用

　　《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的目的是對SOI CMOS新技術(shù)的進展進行全面介紹。全書分為兩部分：*部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù)，也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一些新發(fā)展的技術(shù)。晶體管級和電路級解決方案也均有涉及。我們將這《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的解決方案限定在32~14nm技術(shù)節(jié)點的范圍，并將應(yīng)用限定在技術(shù)成熟到足以實現(xiàn)批量生產(chǎn)的范圍。

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