強耦合雙光學微腔系統(tǒng)中單粒子的操控與測量

第1章 緒論
1．1 引言
1．2 腔QED研究的意義及其應用
1．3 腔QED研究進展與概況
1．3．1 強耦合腔QED系統(tǒng)
1．3．2 光頻區(qū)腔QED的發(fā)展現(xiàn)狀
1．3．3 新型腔量子電動力學系統(tǒng)的研究進展
1．4 單個原子的全控制
1．4．1 光學偶極阱俘獲和操控單個原子
1．4．2 微型光學腔俘獲和操控單個原子
1．4．3 單個原子內態(tài)的操控
1．5 研究進展與本書的結構安排
第2章 腔與原子相互作用的基本理論和實驗測量方法
2．1 引言
2．2 J．C模型
2．3 開放的量子系統(tǒng)
2．4 光頻區(qū)腔QED系統(tǒng)的主要參數(shù)
2．5 腔QED學系統(tǒng)中的若干測量
2．5．1 單個原子位置信息
2．5．2 原子的溫度測量
2．5．3 輻射的統(tǒng)計及其關聯(lián)特性的測量
2．6 小結
第3章 實驗裝置
3．1 引言
3．2 真空系統(tǒng)
3．3 銫原子磁光阱冷卻與俘獲系統(tǒng)
3．4 高精細度雙光學微腔
3．5 新搭建的頻率鏈系統(tǒng)
3．5．1 激光系統(tǒng)的設計和搭建
3．5．2 傳導腔的設計和搭建
3．5．3 頻率鏈的鎖定
3．6 單個原子的偶極俘獲與熒光探測系統(tǒng)
3．6．1 遠失諧偶極俘獲系統(tǒng)
3．6．2 單個原子熒光探測和收集系統(tǒng)
3．6．3 數(shù)據(jù)采集及時序控制系統(tǒng)
3．7 小結
第4章 單粒子的操控和測量
4．1 引言
4．2 單光子計數(shù)方法
4．2．1 數(shù)據(jù)采集卡（P7888）及SPCM
4．2．2 單光子計數(shù)的概率統(tǒng)計
4．2．3 不同光場的二階相干度
4．2．4 傳統(tǒng)的libT實驗
4．3 單個原子的俘獲與測量
4．3．1 微尺度光學偶極阱及其描述
4．3．2 實驗裝置及參數(shù)
4．3．3 偶極阱中單個原子的俘獲及其成像
4．3．4 單個原子的熒光信號探測
4．3．5 偶極阱中單個原子壽命的測量
4．3．6 單原子輻射熒光的統(tǒng)計性質
4．4 光場非經(jīng)典性及其度量方法
4．5 基于DoubleHBT’方案的非經(jīng)典判據(jù)
4．5．1 新的非經(jīng)典判據(jù)的提出
4．5．2 基于多SPCM的理論分析
4．5．3 不同入射光場時的結果
4．5．4 與可分辨光子數(shù)探測器方案的比較
4．5．5 實驗研究
4．6 小結
第5章 基于雙cQED系統(tǒng)的飛行比特之間的糾纏轉移
5．1 引言
5．2 基于高精細度雙光學微腔糾纏轉移的理論模型及其實驗意義
5．3 驅動光場為NOON態(tài)時的結果
5．4 驅動光場為糾纏相干態(tài)時的結果
5．5 飛行比特間糾纏的度量
5．6 在現(xiàn)有實驗可操控條件下原子以不同方式運動時的結果
5．7 考慮損耗后兩飛行比特間糾纏的動力學演化過程
5．7．1 在現(xiàn)有實驗條件下所得出的結果
5．7．2 在損耗很大時所得到的結果
5．7．3 兩飛行比特間糾纏以外其他的量子關聯(lián)及其度量
5．8 小結
第6章 單個原子內態(tài)的操控
6．1 引言
6．2 單原子內態(tài)的選取和初始化
6．3 （Raman）激光的獲得
6．4 單原子內態(tài)的控制和測量
6．5 單原子的RabiFlopping
6．6 討論和小結
第7章 總結與展望
參考文獻