寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路

定　價：￥98.00

作　者：	趙正平等著，王小謨，左群聲編
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：	雷達與探測前沿技術(shù)叢書
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787118114546	出版時間：	2017-12-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	291	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》重點介紹了SiC和GaN寬禁帶半導體高頻開關(guān)和微波功率器件與電路的新進展與實用制備技術(shù)。《寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路》共5章：第1章介紹電力電子和固態(tài)微波器件的發(fā)展及其在雷達領(lǐng)域的應(yīng)用；第2章介紹SiC和GaN寬禁帶半導體材料，包括SiC和GaN單晶、SiC的同質(zhì)外延生長、GaN的異質(zhì)外延生長；第3章介紹SiC高頻功率器件，包括SiC功率二極管、SiC MESFET、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC BJT、SiC IGBT和SiC GTO；第4章介紹GaN微波功率器件與電路，包括GaNHEMT、GaN MMIC、E模GaN HEMT和N極性GaN HEMT；第5章介紹正在發(fā)展中的固態(tài)新型器件，包括太赫茲器件、金剛石器件和二維材料器件?！秾捊麕О雽w高頻及微波功率器件與電路》可供從事寬禁帶半導體和雷達、通信、電子對抗以及電力電子應(yīng)用等領(lǐng)域的科研人員參考。

作者簡介

　　趙正平，江蘇揚州人，研究員級高工，1970年畢業(yè)于清華大學無線電電子學系，1982年獲南京工學院電子工程系半導體物理與器件專業(yè)工學碩士學位。1982年至2002年在電子工業(yè)部第十三研究所工作，歷任課題組長、研究室主任、主管科研副所長和所長，2002年后參于組建中國電子科技集團公司，歷任黨組成員兼總經(jīng)理助理和黨組成員兼副總經(jīng)理?，F(xiàn)任中國電子科技集團公司集團科技委副主任.中國航空工業(yè)集團公司外部董事，河北工業(yè)大學微電子專業(yè)博導。常期從事砷化鎵功率器件與集成電路。微米、鈉米技術(shù)和寬禁帶半導體功率器件的開創(chuàng)性研究。在國內(nèi)首次突破GaAs功率器件，功率MMIC.星用固態(tài)放大器和GaNHEMT功率器件等關(guān)鍵技術(shù)，獲國家科技進步獎二、三等獎各1次，部科技進步獎一、二、三等獎8次。歷任國家“863”信息領(lǐng)域?qū)＜?、國防?73”首席專家和“核高基”國家重大專項專家，1993年獲得政府特貼專家稱號，1994年獲國家中青年專家稱號。

圖書目錄

第1章緒論
1．1 電力電子器件的發(fā)展
1．1．1 Si電力電子器件的發(fā)展
1．1．2 寬禁帶電力電子器件的發(fā)展
1．1．3 我國電力電子器件的發(fā)展
1．2 固態(tài)微波器件的發(fā)展
1．2．1 Si和GaAs固態(tài)微波器件與電路的發(fā)展
1．2．2 SiC固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1．2．3 GaN固態(tài)微波器件與電路發(fā)展
1．3 固態(tài)器件在雷達領(lǐng)域的應(yīng)用
1．3．1 si、GaAs固態(tài)微波器件與固態(tài)有源相控陣雷達
1．3．2 SiC、GaN固態(tài)微波器件與T／R模塊
1．3．3 siC、GaN高頻開關(guān)功率器件與開關(guān)功率源／固態(tài)脈沖調(diào)制源
參考文獻
第2章寬禁帶半導體材料
2．1 氮化鎵和碳化硅晶體材料
2．1．1 GaN晶體性質(zhì)和制備
2．1．2 SiC晶體性質(zhì)和制備
2．2 碳化硅材料的同質(zhì)外延生長技術(shù)
2．2．1 SiC同質(zhì)外延生長方法
2．2．2 SiC CVD同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)
2．2．3 SiC外延層缺陷
2．3 氮化物材料的異質(zhì)外延生長技術(shù)
2．3．1 氮化物外延生長基本模式和外延襯底的選擇
2．3．2 用于氮化物異質(zhì)外延的金屬有機物化學氣相沉積技術(shù)
2．3．3 氮化物異質(zhì)外延生長中的幾個重要問題
2．4 寬禁帶半導體材料的表征方法
2．4．1 X射線衍射測試
2．4．2 原子力顯微鏡測量
2．4．3 光致發(fā)光譜測量
2．4．4 傅里葉變換紅外譜厚度測試
2．4．5 汞探針C-V法測量雜質(zhì)濃度分布
參考文獻
第3章碳化硅高頻功率器件
3．1 SiC功率二極管
3．1．1 siC肖特基二極管
3．1．2 siC PIN二極管
3．1．3 SiC JBS二極管
3．1．4 siC二極管進展
3．1．5 siC二極管應(yīng)用
3．2 SiC MESFET
3．2．1 工作原理
3．2．2 SiC MESFET研究進展
3．2．3 SiC MESFET應(yīng)用
3．3 SiC MOSFET
3．3．1 工作原理
3．3．2 關(guān)鍵工藝
3．3．3 SiC MOSFET進展
3．3．4 SiC MOSFET應(yīng)用
3．4 siC JFET
3．4．1 SiC JFET的半導體物理基礎(chǔ)
3．4．2 橫向SiC JFET
3．4．3 垂直SiC JFET
3．4．4 SiC VJFET發(fā)展趨勢及挑戰(zhàn)
3．4．5 SiC JFET應(yīng)用
3．5 SiC BJT
3．5．1 BJT基本工作原理
3．5．2 BJT基本電學特性
3．5．3 SiC BJT關(guān)鍵技術(shù)進展
3．5．4 siC BJT的應(yīng)用
3．6 siC IBJT
3．6．1 工作原理
3．6．2 SiC IGBT進展
3．6．3 SiC IGBT應(yīng)用
3．7 SiC GTO
3．7．1 晶閘管的導通過程
3．7．2 關(guān)斷特性
3．7．3 頻率特性
3．7．4 臨界電荷
3．7．5 SiC GTO研究進展與應(yīng)用
參考文獻
第4章氧化鎵微波功率器件與電路
4．1 GaN HEMT
4．1．1 GaN HEMT器件工作原理
4．1．2 GaN HEMT器件的性能表征
4．1．3 GaN HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)
4．1．4 國內(nèi)外D模HEMT器件進展
4．2 GaN MMIC
4．2．1 MMIC功率放大器電路設(shè)計
4．2．2 MMIC功率放大器電路制備的關(guān)鍵工藝
4．2．3 國內(nèi)外GaN MMIC研究進展
4．2．4 GaN MMIC應(yīng)用
4．3 E模GaN HEMT
4．3．1 E模器件基本原理
4．3．2 國內(nèi)外E模GaN HEMT器件進展
4．3．3 E模GaN器件應(yīng)用
4．4 N極性GaN HEMT
4．4．1 N極性GaN HEMT原理
4．4．2 N極性GaN材料生長
4．4．3 國內(nèi)外N極性面GaN器件進展
4．5 GaN功率開關(guān)器件與微功率變換
4．5．1 GaN功率開關(guān)器件工作原理
4．5．2 國內(nèi)外GaN功率開關(guān)器件進展
4．5．3 國內(nèi)外GaN功率開關(guān)器件應(yīng)用
4．5．4 GaN開關(guān)功率管應(yīng)用與微功率變換
參考文獻
第5章展望
5．1 固態(tài)太赫茲器件
5．1．1 太赫茲肖特基二極管
5．1．2 太赫茲三極管
5．1．3 氮化物太赫茲固態(tài)器件
5．1．4 太赫茲固態(tài)器件總結(jié)與展望
5．2 金剛石器件
5．2．1 金剛石材料基本性質(zhì)
5．2．2 金剛石材料生長方法
5．2．3 金剛石器件舉例
5．2．4 總結(jié)與展望
5．3 二維材料器件
5．3．1 石墨烯材料器件
5．3．2 其他二維材料器件
5．3．3 二維材料器件制備工藝
5．3．4 總結(jié)與展望
參考文獻
主要符號表
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