模擬集成電路原理及設(shè)計

定　價：￥45.00

作　者：	王守國
出版社：	機(jī)械工業(yè)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787111558026	出版時間：	2017-02-01	包裝：
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內(nèi)容簡介

　　全書共有9章內(nèi)容。主要內(nèi)容包括：模擬集成電路中的無源器件、結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管、MOSFET、CCD、模擬集成電路器件的參數(shù)提取、MOS放大器、集成運(yùn)算放大器、集成功率放大器和導(dǎo)體制造技術(shù)。本書可以作為電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路工程等專業(yè)本科生的模擬集成電路設(shè)計課程的教材，也可以作為電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)研究生的教材。

作者簡介

　　1994年在西北大學(xué)工作至今，電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)教師，主講《微電子器件與電路可靠性》，《MOS器件原理》等。2005-2007年香港理工大學(xué)機(jī)械系學(xué)習(xí)2008-2010年復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院工作

圖書目錄

目錄
前言
教學(xué)建議
第1章　模擬集成電路中的無源元件1
　1.1　模擬集成電路的工藝基礎(chǔ)1
　1.2　模擬集成電路中的電阻8
　1.3　模擬集成電路中的電容16
　1.4　模擬集成電路中的電感24
　習(xí)題35
第2章　結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管36
　2.1　JFET的基本原理36
　2.2　JFET的伏安特性40
　2.3　JFET的直流和交流參數(shù)43
　2.4　MESFET的特性46
　2.5　場相關(guān)遷移率特性48
　2.6　結(jié)型柵場效應(yīng)管的頻率特性53
　2.7　器件的噪聲特性58
　2.8　JFET和MESFET的結(jié)構(gòu)舉例61
　習(xí)題66
第3章　MOSFET67
　3.1　MOSFET的結(jié)構(gòu)和類型68
　3.2　MOSFET的閾值電壓72
　3.3　MOSFET的伏安特性80
　3.4　MOSFET的交流小信號特性87
　3.5　MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
　3.6　MOSFET的噪聲特性101
　3.7　MOSFET的擊穿特性104
　3.8　MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結(jié)構(gòu)111
　3.9　MOSFET的溫度特性117
　3.10　短溝道效應(yīng)120
　3.11　場效應(yīng)晶體管的設(shè)計129
　習(xí)題134
第4章　CCD136
　4.1　CCD的工作原理136
　4.2　CCD的基本參數(shù)144
　4.3　成像原理148
　4.4　CCD的改進(jìn)方式150
　4.5　CCD在模擬電路中的應(yīng)用151
　習(xí)題153
第5章　模擬集成電路器件參數(shù)的提取154
　5.1　歐姆接觸的有關(guān)參數(shù)154
　5.2　MOSFET的有關(guān)參數(shù)提取159
　5.3　MESFET的有關(guān)參數(shù)提取168
　習(xí)題175
第6章　CMOS放大器176
　6.1　模擬電路中的MOS器件模型177
　6.2　共源級放大器182
　6.3　共源共柵級198
　6.4　差分放大器204
　習(xí)題211
第7章　集成運(yùn)算放大器212
　7.1　集成運(yùn)算放大器的構(gòu)建212
　7.2　集成運(yùn)算放大器基本模塊分析217
　7.3　集成運(yùn)算放大器的設(shè)計223
　7.4　集成CMOS運(yùn)算放大器版圖設(shè)計227
　7.5　集成CMOS運(yùn)算放大器的實現(xiàn)232
　習(xí)題237
第8章　集成功率放大器238
　8.1　功率放大器的特性和典型電路238
　8.2　集成功率放大器實現(xiàn)的制約分析與設(shè)計251
　8.3　全集成CMOS功率放大器的實現(xiàn)255
　8.4　功率放大器的盡限問題261
　8.5　功率放大器研制的新進(jìn)展265
　習(xí)題268
第9章　半導(dǎo)體制造技術(shù)269
　9.1　半導(dǎo)體工藝的發(fā)展及CMOS工藝流程269
　9.2　半導(dǎo)體工藝主要工序280
　習(xí)題291
附錄　常用物理參數(shù)292
參考文獻(xiàn)293