材料缺陷的先進計算電子結構方法

定　價：￥88.00

作　者：	[瑞士] 阿爾卡斯卡等著；諶祺等譯
出版社：	國防工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	電子通信工業(yè)技術一般性問題

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ISBN：	9787118098808	出版時間：	2015-06-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	303	字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　《材料缺陷的先進計算電子結構方法》探討了改善運算的可能途徑，運用更先進的電子結構方法以及作為修正和替代的超晶胞模型，將LDA+U方法、混合及篩選函的優(yōu)點與多種微擾和蒙特卡洛多體理論進行對比以進行評價，并運用基于GW和混合泛函計算的Bethe-Salpeter方程和時序密度泛函理論研究了激子效應。特別研究了如何克服有限元建模中的邊界效應。《材料缺陷的先進計算電子結構方法》對這些方法間的聯(lián)系和基礎做出了清晰的概述，介紹了特殊問題的算法選用標準。讀者可以從中學到超晶胞模型的各種修正模型、作為替代品的嵌入技術以及能處理高層次復雜結構中的大量單元的改進計算方法。

作者簡介

暫缺《材料缺陷的先進計算電子結構方法》作者簡介

圖書目錄

第1章　固體缺陷與雜質(zhì)電子結構方法的研究進展
第2章　量子蒙特卡羅方法對于固體點缺陷計算的準確性
第3章　多體微擾理論下界面和缺陷的電子性質(zhì)：近期的發(fā)展和應用
第4章　最優(yōu)極化基下GW計算的加速
第5章　屏蔽交換密度泛函下半導體能帶結構和缺陷的計算
第6章　固體的HSE屏蔽雜化
第7章　雜化密度泛函理論下的缺陷能級：理論和應用
第8章　準確的帶隙能級以及對其他缺陷性能計算可靠性的影響
第9章　ZnO、SnO2和TiO2中缺陷的LDA+U和雜化泛函計算
第10章　關于點缺陷計算中帶隙修正的LDA+U方法的客觀評價：以ZnO中的氧空位為例
第11章　運用廣義Koopmans定理的密度泛函計算預測極化子缺陷態(tài)
第12章　密度泛函理論下的其他方法SiO2的計算
第13章　克服寬帶半導體中雙極摻雜困難
第14章　超晶胞中帶電缺陷間的靜電相互作用
第15章　有限溫度下點缺陷的形成能量
第16章　具有緊束速度的精確Kohn-Sham DFT:材料模擬當前技術和未來方向
第17章　半導體中淺層缺陷超精細相互作用的從頭格林函數(shù)計算
第18章　半導體中點缺陷激發(fā)態(tài)光譜的含時密度泛函理論研究
第19章　選用何種電子結構研究缺陷問題：評注