半導體材料標準匯編：方法標準國標分冊（2014版）

GB/T 1550-1997 非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 硅和鍺體內少數(shù)載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶向測定方法
GB/T 1557-2006 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體硅材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 硅片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 硅片彎曲度測試方法-
GB/T 6620-2009 硅片翹曲度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 硅拋光片表面質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 硅片徑向電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法
GB/T 13388-2009 硅片參考面結晶學取向X射線測試方法
GB/T 14140-2009 硅片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 硅外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法
GB/T 14146-2009 硅外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 硅拋光片表面顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 第1部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 硫酸亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 硫酸鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化硅量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 硅單晶中Ⅲ-V族雜質的光致發(fā)光測試方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射線衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定硅片表面的有機污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金屬沾污的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物
GB/T 24580-2009 重摻n型硅襯底中硼沾污的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦合等離子質譜儀測定多晶硅表面金屬雜質
GB/T 26066-2010 硅晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 硅片載流子復合壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化合物半導體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、錫、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦合等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氫硅化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦合等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用硅材料表面金屬雜質含量的電感耦合等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用硅材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用硅材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用硅材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用硅片翹曲度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用硅片表面粗糙度及切割線痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化硅單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法