氮化鎵半導體材料及器件

定　價：￥108.00

作　者：	張進成
出版社：	西安電子科技大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

購買這本書可以去

當當網(wǎng) (￥91.20)

ISBN：	9787560673851	出版時間：	2024-10-01	包裝：	精裝
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關合金）是極為重要的寬禁帶半導體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結合的方式對氮化物半導體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內在的聯(lián)系與區(qū)別。全書共8章，包括緒論、氮化物材料基本特性及外延生長技術、新型氮化物異質結的設計及制備、氮化物材料的測試表征技術、氮化物藍光LED材料與器件、氮化物紫外和深紫外LED材料與器件、氮化鎵基二極管、氮化鎵基三極管。本書可作為微電子器件領域本科生和研究生的入門參考資料，也可供相關領域的科研和研發(fā)人員參考。