電子科學(xué)與技術(shù)導(dǎo)論

目錄
前言
第1章 緒論 1
1.1 電子科學(xué)與技術(shù)的發(fā)展史 1
1.2 電子科學(xué)與技術(shù)的研究方向 3
1.3 電子科學(xué)與技術(shù)遭遇的瓶頸及解決方案 4
參考文獻(xiàn) 7
第2章 阻變存儲(chǔ)器研究及性能提升 8
2.1 引言 8
2.1.1 存儲(chǔ)器的發(fā)展 8
2.1.2 阻變存儲(chǔ)器的分類(lèi) 10
2.2 阻變存儲(chǔ)器的材料 12
2.2.1 氧化物阻變存儲(chǔ)器 12
2.2.2 非氧化物無(wú)機(jī)材料阻變存儲(chǔ)器 17
2.2.3 有機(jī)材料阻變存儲(chǔ)器 19
2.2.4 二維材料阻變存儲(chǔ)器 20
2.3 阻變存儲(chǔ)器的阻變機(jī)制 24
2.3.1 電化學(xué)金屬化導(dǎo)電細(xì)絲 24
2.3.2 價(jià)態(tài)變化存儲(chǔ)器 24
2.3.3 相變阻變存儲(chǔ)器 26
2.3.4 鐵電阻變存儲(chǔ)器 26
2.4 阻變存儲(chǔ)器的性能提升 27
2.4.1 利用二維材料提升器件性能 27
2.4.2 利用量子點(diǎn)提升器件性能 28
2.4.3 利用外圍電路提升器件性能 29
2.4.4 通過(guò)雜質(zhì)摻雜提升器件性能 29
2.4.5 特殊器件形貌提升器件性能 30
2.5 小結(jié) 32
參考文獻(xiàn) 32
第3章 憶阻器的應(yīng)用 42
3.1 引言 42
3.2 憶阻器在神經(jīng)仿生中的應(yīng)用 44
3.2.1 生物突觸和人工突觸 44
3.2.2 導(dǎo)電絲憶阻器人工突觸 46
3.2.3 相變憶阻器人工突觸 46
3.2.4 光電憶阻器人工突觸 46
3.3 憶阻器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 49
3.3.1 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 49
3.3.2 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 52
3.3.3 脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) 55
3.4 憶阻器的應(yīng)用 57
3.4.1 憶阻器在生物學(xué)上的應(yīng)用 57
3.4.2 憶阻器在模式識(shí)別中的應(yīng)用 59
3.4.3 憶阻器在電路中的應(yīng)用 62
3.5 小結(jié) 64
參考文獻(xiàn) 65
第4章 基于新型二維材料的憶阻器 75
4.1 引言 75
4.2 基于二維材料的憶阻器 77
4.2.1 石墨烯和衍生物 77
4.2.2 過(guò)渡金屬二硫化物 79
4.2.3 其他二維材料 84
4.3 基于二維材料憶阻器的開(kāi)關(guān)機(jī)制 89
4.3.1 細(xì)絲 89
4.3.2 原子空位 92
4.3.3 電子的捕獲和釋放 96
4.4 現(xiàn)有的挑戰(zhàn) 97
4.5 小結(jié) 98
參考文獻(xiàn) 99
第5章 基于莫特絕緣體的憶阻器 119
5.1 引言.119
5.2 莫特絕緣體轉(zhuǎn)變和莫特絕緣體材料 120
5.3 莫特轉(zhuǎn)變的驅(qū)動(dòng)方法 121
5.3.1 壓力驅(qū)動(dòng)的莫特轉(zhuǎn)變 121
5.3.2 溫度驅(qū)動(dòng)的莫特轉(zhuǎn)變 122
5.3.3 電壓驅(qū)動(dòng)的莫特轉(zhuǎn)變 125
5.4 基于莫特絕緣體的憶阻器應(yīng)用 126
5.4.1 非易失性特性 126
5.4.2 選擇器和神經(jīng)元的揮發(fā)性特性 130
5.5 小結(jié) 136
參考文獻(xiàn) 138
第6章 柔性鐵電器件的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用 151
6.1 引言 151
6.2 制備柔性鐵電器件的途徑 152
6.2.1 通過(guò)范德瓦耳斯異質(zhì)外延制備柔性鈣鈦礦鐵電薄膜 152
6.2.2 通過(guò)蝕刻法制備柔性鈣鈦礦鐵電薄膜 156
6.2.3 二維柔性鐵電材料 163
6.3 柔性鐵電器件的應(yīng)用 169
6.3.1 柔性鐵電存儲(chǔ)器 169
6.3.2 柔性鐵電傳感器 175
6.3.3 柔性鐵電光伏器件 177
6.3.4 柔性鐵電能量采集器 178
6.4 柔性鐵電器件應(yīng)用的潛在研究領(lǐng)域 180
6.5 小結(jié) 182
參考文獻(xiàn) 183
第7章 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究進(jìn)展 198
7.1 石墨烯的發(fā)現(xiàn)、基本結(jié)構(gòu)及性能 198
7.2 石墨烯的表征方法 200
7.2.1 顯微鏡法 200
7.2.2 光譜法 202
7.3 石墨烯的制備方法 206
7.4 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本結(jié)構(gòu)及原理 215
7.4.1 背柵石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 215
7.4.2 頂柵石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 216
7.4.3 液柵石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管 216
7.5 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備工藝 217
7.6 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管中石墨烯的功能化方法 219
7.6.1 共價(jià)功能化方法 219
7.6.2 非共價(jià)功能化方法 220
7.7 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管在生化物質(zhì)傳感中的應(yīng)用 222
7.7.1 石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生化傳感基本理論 222
7.7.2 G-SgFET在生化物質(zhì)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用 223
參考文獻(xiàn) 231
第8章 氮化物激光器技術(shù)新進(jìn)展 238
8.1 引言 238
8.1.1 氮化物激光器的應(yīng)用 238
8.1.2 氮化物激光器發(fā)展歷程 239
8.2 氮化物激光器基本特性 241
8.2.1 氮化物激光器工作原理 241
8.2.2 氮化物激光器工作特性 243
8.2.3 氮化物激光器調(diào)制特性 248
8.3 氮化物白光激光技術(shù) 249
8.3.1 熒光轉(zhuǎn)化激光白光技術(shù) 250
8.3.2 RGB三基色復(fù)合激光白光技術(shù) 253
8.3.3 白光LD光通信技術(shù) 256
參考文獻(xiàn) 260
第9章 太陽(yáng)能電池研究進(jìn)展 267
9.1 引言 267
9.2 太陽(yáng)能電池的種類(lèi)和光伏原理 267
9.2.1 pn 結(jié)型太陽(yáng)能電池 267
9.2.2 肖特基勢(shì)壘太陽(yáng)能電池 268
9.2.3 染料敏化太陽(yáng)能電池 269
9.2.4 聚合物太陽(yáng)能電池 270
9.2.5 新型太陽(yáng)能電池 273
參考文獻(xiàn) 275
第10章 集成電路設(shè)計(jì)與仿真 277
10.1 引言 277
10.1.1 集成電路的過(guò)去、現(xiàn)狀和未來(lái) 277
10.1.2 集成電路的分類(lèi)及主流工藝 280
10.2 數(shù)字集成電路 281
10.2.1 數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)方法 281
10.2.2 數(shù)字集成電路的基本單元電路 283
10.2.3 數(shù)字集成電路中的時(shí)序電路 295
10.3 模擬集成電路 301
10.3.1 模擬集成電路的設(shè)計(jì)方法 301
10.3.2 模擬集成電路的主要電路單元 302
10.4 Bi-CMOS型集成電路 318
10.4.1 Bi-CMOS型集成電路的設(shè)計(jì)方法 318
10.4.2 Bi-CMOS型集成電路的典型電路的設(shè)計(jì)及應(yīng)用 319
10.5 能量回收型集成電路的設(shè)計(jì) 322
10.5.1 能量回收型集成電路的原理 322
10.5.2 能量回收型電路的結(jié)構(gòu)分類(lèi) 324
參考文獻(xiàn) 328