半導體存儲與系統(tǒng)

定　價：￥129.00

作　者：	[意] 安德烈·雷達利 [意] 法比奧·佩利澤等
出版社：	機械工業(yè)出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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當當網 (￥109.00)

ISBN：	9787111777366	出版時間：	2025-04-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內容簡介

　　《半導體存儲與系統(tǒng)》提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應用之后，本書重點介紹了各種主流技術，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關注了可微縮途徑。這些述及的技術包括靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）、非易失性存儲器（NVM）和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器以及儲存類內存（SCM）的各項條件和系統(tǒng)級需求。每一章都涵蓋了物理運行機制、制造技術和可微縮性的主要挑戰(zhàn)因素。最后，本書回顧了SCM的新興趨勢，主要關注基于相變的存儲技術的優(yōu)勢和機遇?！栋雽w存儲與系統(tǒng)》可作為高等院校微電子學與固體電子學、電子科學與技術、集成電路科學與工程等專業(yè)的高年級本科生和研究生的教材和參考書，也可供半導體和微電子領域的從業(yè)人員參考。

作者簡介

　　Andrea Redaelli分別于2003年和2007年獲得意大利米蘭理工大學電子工程學士和博士學位。從2007年起，他加入意法半導體公司，從事非易失性存儲器先進技術研究。從2008年到2013年，他曾擔任45nm和26nm PCM工藝開發(fā)的單元方面首席工程師，首先作為Numonyx公司員工，其后又加入美光科技公司。自2014年以來，Redaelli博士一直致力于3DXpointTM技術開發(fā)，負責單元堆棧優(yōu)化和前沿研究活動。Redaelli博士是50多篇論文、100多項授權專利及提交申請專利的作者和共同作者。Fabio Pellizzer于1996年獲得意大利帕多瓦大學電子工程碩士學位。于1998年加入意法半導體公司，致力于幾代NOR閃存的開發(fā)。自2002年以來，他一直負責基于硫族化合物材料的相變存儲器的工藝開發(fā)。自2008年3月以來，他加入Numonyx公司擔任研發(fā)技術開發(fā)方面的相變存儲器研發(fā)經理。于2011年5月，他加入美光科技公司，負責新存儲技術開發(fā)?，F(xiàn)在，他是美國博伊西市的3DXPoint技術部門的杰出成員和單元開發(fā)經理。他發(fā)表了60多篇論文，擁有130多項美國和歐洲授權專利。

圖書目錄

譯者序原書序原書前言致謝第1章　半導體存儲器的歷史回顧11.1　20世紀80年代初：先驅者11.2　20世紀90年代：DRAM 技術驅動因素41.3　新世紀：NAND技術驅動因素61.4　通用存儲器的夢想81.5　3D集成時代91.5.1　垂直3D DRAM面臨的挑戰(zhàn)111.5.2　NAND技術中的垂直3D演化121.5.3　3DxP技術141.6　未來16參考文獻19第2章　存儲器在當今系統(tǒng)中的應用232.1　系統(tǒng)的定義及多樣性232.1.1　電子系統(tǒng)的定義232.1.2　電子系統(tǒng)的多樣性 242.1.3　存儲器的作用 252.2　存儲層次結構 272.2.1　存儲分層的目的272.2.2　本地內存282.2.3　主內存292.2.4　固態(tài)存儲312.2.5　打破存儲層次結構332.3　系統(tǒng)中存儲的架構及目的332.3.1　實際應用中的存儲層次結構332.3.2　本地內存的系統(tǒng)使用342.3.3　主內存在系統(tǒng)上的應用362.3.4　固態(tài)存儲在系統(tǒng)上的應用392.4　小結42參考文獻43第3章　SRAM技術現(xiàn)狀及前景443.1　引言443.2　SRAM位單元微縮化的挑戰(zhàn) 453.2.1　6T SRAM位單元操作與分析453.2.2　版圖和設計考慮493.2.3　波動性和可靠性533.3　在納米微縮節(jié)點的SRAM微縮化和性能提升553.3.1　有源柵極上接觸（COAG）工藝553.3.2　埋入式供電的SRAM573.4　新器件環(huán)境下的SRAM613.4.1　器件微縮到3nm之下的新架構613.4.2　基于納米片的SRAM613.4.3　基于叉片型的SRAM623.4.4　基于CFET的SRAM633.5　SRAM的混合集成643.6　小結68參考文獻68第4章　DRAM電路及工藝技術734.1　高帶寬和低功耗DRAM的發(fā)展趨勢734.2　電路技術734.2.1　核心電路754.2.2　數(shù)據(jù)路徑784.2.3　輸入/輸出794.2.4　直流電源824.3　DRAM工藝技術844.3.1　單元結構844.3.2　單元存取晶體管864.3.3　單元電容器894.4　封裝及模組914.4.1　DRAM封裝歷史914.4.2　模組934.4.3　用于服務器/PC DRAM的DIMM934.4.4　用于移動式DRAM的堆疊封裝944.4.5　HBM的堆疊封裝94參考文獻94第5章　NAND閃存技術現(xiàn)狀與展望995.1　引言995.2　NAND閃存基本原理1005.2.1　基本的存儲單元操作1005.2.2　NAND閃存陣列架構1025.2.3　NAND閃存陣列操作1045.2.4　多比特操作1095.2.5　NAND閃存可靠性1115.3　從2D NAND到3D NAND1125.3.1　垂直NAND陣列基礎1135.3.2　與2D NAND相比的性能和可靠性改進1145.3.3　3D NAND獨特的可靠性考慮因素1165.3.4　3D NAND陣列結構1175.3.5　3D NAND微縮1195.4　3D NAND閃存的新興應用1225.5　小結123參考文獻124第6章　嵌入式存儲解決方案：電荷存儲、阻性存儲和磁性存儲1336.1　引言1336.2　嵌入式非易失性存儲的演進（傳統(tǒng)存儲）1366.3　嵌入式非易失性存儲的革命（新型存儲）1416.3.1　嵌入式FRAM1436.3.2　嵌入式RRAM1456.4　嵌入式PCM1476.4.1　PCM單元的演變1486.4.2　汽車級ePCM1526.4.3　28nm工藝的FDSOI ePCM1536.5　嵌入式MRAM1586.5.1　MRAM單元演變1596.5.2　RAM類MRAM對比NVM類MRAM1626.5.3　嵌入式MRAM技術現(xiàn)狀1676.6　未來展望1716.6.1　MRAM1716.6.2　PCM174參考文獻176第7章　SCM在服務器和大型系統(tǒng)中不斷演進的作用1827.1　引言1827.2　非易失性存儲器技術的現(xiàn)狀1847.2.1　前景光明的SCM技術1867.2.2　單比特成本上的考慮1877.2.3　SCM在內存-儲存層次結構中的定位1887.3　英特爾傲騰存儲器1907.4　SCM運用范例1927.4.1　作為數(shù)據(jù)儲存1927.4.2　用于儲存緩存1927.4.3　作為突發(fā)緩沖器1937.4.4　作為混合內存-儲存的子系統(tǒng)1937.4.5　作為持久性內存1947.5　利用SCMM的應用程序1947.5.1　存內數(shù)據(jù)庫1957.5.2　大型圖形應用程序1967.5.3　文件系統(tǒng)1977.6　服務接口1987.6.1　高級編程模型1997.7　對云端的影響1997.7.1　云端和基礎設施即服務（IaaS）1997.7.2　虛擬機占用空間2007.7.3　單服務器部署更多容器2007.7.4　網絡功能虛擬化（NFV）2017.7.5　分布式計算2017.8　未來前景2017.8.1　嵌入式SCM2027.8.2　存內計算2037.9　小結203參考文獻204第8章　3DXpoint技術基礎2108.1　分立PCM架構的歷史回顧2108.1.1　文獻綜述2108.1.2　PCM陣列操作2128.1.3　PCM性能和局限2168.1.4　PCM應用2178.2　3DXpoint技術：PCM低成本SCM解決方案2188.2.1　3DXpoint陣列操作2218.2.2　讀操作2228.2.3　編程操作2228.2.4　OTS與PCM的要求及材料特性2238.2.5　3DXpoint單元性能2238.3　3DXpoint未來發(fā)展2258.4　3DXpoint系統(tǒng)2258.4.1　3DXpoint產品：儲存和內存應用2258.5　小結226參考文獻226第9章　其他新型存儲器2309.1　引言2309.2　導電細絲阻變RAM2319.2.1　導電細絲阻變RAM概述2319.2.2　關鍵挑戰(zhàn)2349.3　用于超低功耗存儲器的鐵電HfO22409.3.1　鐵電存儲器概述2409.3.2　技術現(xiàn)狀2449.3.3　持續(xù)發(fā)展和關鍵挑戰(zhàn)2479.4　小結247參考文獻248進一步閱讀253第10章　面向人工智能的非易失性存內計算25510.1　引言25510.2　用于IMC的存儲器件25610.2.1　RRAM25610.2.2　PCM25610.2.3　MRAM 25710.2.4　FeRAM25710.3　存儲結構 25710.3.1　1S1R結構25910.3.2　1T1R結構25910.4　計算型存儲25910.4.1　離線訓練26110.4.2　在線訓練26310.5　IMC電路非理想性26510.6　IMC電路架構26610.6.1　矩陣向量乘法（MVM）加速器26610.6.2　模擬閉環(huán)加速器26810.6.3　模擬內容可尋址存儲器26910.7　小結270參考文獻271結語280