集成電路制造技術(shù)：原理與工藝（第3版）

定　價(jià)：￥79.90

作　者：	田麗，李玲，任明遠(yuǎn)，王蔚
出版社：	電子工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787121453694	出版時(shí)間：	2023-03-01	包裝：	平裝
開本：	16開	頁數(shù)：	322	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是哈爾濱工業(yè)大學(xué)\" 集成電路人才培養(yǎng)基地”教學(xué)建設(shè)成果，系統(tǒng)地介紹硅基芯片制造流程中普遍采用的各單項(xiàng)工藝技術(shù)的原理、問題、分析方法、主要設(shè)備及其技術(shù)發(fā)展趨勢，全書共6個(gè)單元14章。單元介紹硅襯底，主要介紹單晶硅的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，單晶硅錠的拉制及硅片（包含體硅片和外延硅片）的制造工藝及相關(guān)理論。第二～五單元介紹硅基芯片制造基本單項(xiàng)工藝（氧化與摻雜、薄膜制備、光刻、工藝集成與封裝測試）的原理、方法、設(shè)備，以及所依托的技術(shù)基礎(chǔ)及發(fā)展趨勢。第六單元介紹集成電路制造工藝監(jiān)控與生產(chǎn)實(shí)習(xí)實(shí)驗(yàn)；附錄A介紹工藝模擬和SUPREM軟件。本書配套微課、電子課件、習(xí)題答案等，可幫助學(xué)生從理論走向生產(chǎn)實(shí)踐，對集成電路和微電子產(chǎn)品制造技術(shù)的原理與工藝全過程有深入的了解。

作者簡介

　　田麗，女，哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授，長期從事集成電路制造領(lǐng)域的高校課程教學(xué)和科研工作，主持和參與數(shù)十項(xiàng)集成電路領(lǐng)域和省部級科研和教研項(xiàng)目，出版教材兩部。

圖書目錄

12.2.5 模擬電路及數(shù)?；旌想娐?br />測試 301
12.2.6 未來測試技術(shù)展望 302
本章小結(jié) 304
習(xí)題 304

第六單元工藝監(jiān)控與生產(chǎn)實(shí)習(xí)

3章工藝監(jiān)控 305
13.1 概述 305
13.2 實(shí)時(shí)監(jiān)控 306
13.3 工藝檢測片 306
13.4 晶片檢測 307
本章小結(jié) 307
4章集成電路制造工藝生產(chǎn)實(shí)習(xí) 308
14.1 硅片電阻率測量 308
14.1 測量原理 308
14.2 測量儀器 309
14.3 測量步驟 310
習(xí)題 310
14.2 硅片清洗 310
14.2.1 清洗原理 310
14.2.2 清洗設(shè)備與試劑 311
14.2.3 清洗方法 311
習(xí)題 312
14.3 氧化層厚度測量 312
14.3.1 測量原理 312
14.3.2 測量儀器與試劑 312
14.3.3 測量步驟 313
習(xí)題 313
14.4 PN結(jié)結(jié)深測量 313
14.4.1 測量原理 313
14.4.2 測量儀器與試劑 314
14.4.3 測量步驟 314
習(xí)題 314
14.5 晶體管電學(xué)特性測量 314
14.5.1 測量原理 314
14.5.2 測量儀器 316
14.5.3 測量具體步驟 316
習(xí)題 316
附錄A SUPREM模擬 317
A.1 SUPREM軟件簡介 317
A.2 氧化工藝 318
A.3 擴(kuò)散工藝 318
A.4 離子注入 319
參考文獻(xiàn) 320