氮化物半導體太赫茲器件

　　隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的Z新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、倍頻器、功率放大器、直接調(diào)制器件和高靈敏探測器件等，涉及器件的基本工作原理、設計方法、工藝方法、測試方法和應用等。本書是在作者近幾年來一直從事氮化物太赫茲器件研究工作的基礎上，借鑒了國內(nèi)外相關(guān)領域的核心研究成果，并通過大量的應用實例來讓從事實踐的工程師掌握基本的固態(tài)太赫茲知識，并盡量減少純粹的數(shù)學分析。 本書供從事氮化物半導體太赫茲器件的研究人員及工程技術(shù)人員學習參考。

暫缺《氮化物半導體太赫茲器件》作者簡介