等離子體高能合成射流

目錄
前言
第1章 緒論 1
1.1 等離子體流動控制技術(shù) 1
1.1.1 基本概念 1
1.1.2 國內(nèi)外發(fā)展?fàn)顩r 3
1.1.3 發(fā)展方向 4
1.1.4 技術(shù)展望 6
1.2 等離子體合成射流技術(shù) 9
1.2.1 表面放電等離子體合成射流技術(shù) 9
1.2.2 體積放電等離子體高能合成射流技術(shù) 11
1.3 本書框架 14
參考文獻(xiàn) 14
第2章 等離子體高能合成射流模型及測量方法 20
2.1 引言 20
2.2 零維理論分析模型 21
2.2.1 瞬時加熱階段 22
2.2.2 等熵壅塞流-非壅塞流階段 22
2.2.3 回填階段 28
2.2.4 計算結(jié)果驗證 28
2.3 數(shù)值計算模型 29
2.3.1 物理模型及控制方程 29
2.3.2 計算結(jié)果驗證 36
2.4 實驗測量方法 38
2.4.1 電參數(shù)測量 38
2.4.2 腔體壓力測量 39
2.4.3 微沖量測量 42
2.4.4 高速紋影/陰影 44
2.4.5 超聲速靜風(fēng)洞 46
參考文獻(xiàn) 50
第3章 等離子體高能合成射流放電及能量效率特性 52
3.1 引言 52
3.2 放電特性及放電效率 54
3.2.1 電源系統(tǒng) 54
3.2.2 放電特性分析 56
3.2.3 放電效率計算方法 65
3.2.4 參數(shù)影響規(guī)律 66
3.3 加熱效率 69
3.3.1 加熱效率計算方法 69
3.3.2 參數(shù)影響規(guī)律 71
3.4 噴射效率 75
3.4.1 噴射效率計算方法 75
3.4.2 參數(shù)影響規(guī)律 76
3.5 小結(jié) 80
參考文獻(xiàn) 81
第4章 等離子體高能合成射流流場特性 82
4.1 引言 82
4.2 靜止流場環(huán)境 82
4.2.1 典型流場特征 82
4.2.2 腔體體積影響 87
4.2.3 放電電容影響 89
4.2.4 電極間距影響 91
4.2.5 出口直徑影響 92
4.2.6 放電頻率影響 94
4.2.7 環(huán)境壓力影響 96
4.3 高速來流環(huán)境 105
4.3.1 典型流場特征 105
4.3.2 出口直徑影響 116
4.3.3 出口傾角影響 118
4.3.4 放電能量影響 120
4.3.5 來流馬赫數(shù)影響 127
4.4 小結(jié) 130
參考文獻(xiàn) 131
第5章 等離子體高能合成射流陣列工作特性 133
5.1 引言 133
5.2 串聯(lián)陣列工作特性 133
5.2.1 電源系統(tǒng) 133
5.2.2 放電特性 136
5.2.3 流場特性 143
5.3 并聯(lián)陣列工作特性 149
5.3.1 電源系統(tǒng) 149
5.3.2 放電特性 158
5.3.3 流場特性 166
5.4 小結(jié) 172
參考文獻(xiàn) 174
第6章 等離子體高能合成射流在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用 176
6.1 引言 176
6.2 進(jìn)氣道壓縮拐角斜激波控制 176
6.2.1 典型控制流場 176
6.2.2 壓縮拐角寬度影響 182
6.3 超聲速流場圓柱繞流激波控制 183
6.3.1 典型控制流場 183
6.3.2 圓柱高度影響 189
6.3.3 出口構(gòu)型影響 191
6.3.4 激勵位置影響 193
6.4 飛行器頭部逆向噴流減阻 195
6.4.1 流場特性 195
6.4.2 減阻特性 199
6.5 燃燒室超/超混合層摻混增強(qiáng) 201
6.5.1 實驗方法 201
6.5.2 典型控制效果 203
6.6 小結(jié) 209
參考文獻(xiàn) 210