有機電子學(xué)實驗

定　價：￥42.00

作　者：	楊鳳游勁松賓正楊
出版社：	四川大學(xué)出版社
叢編項：
標(biāo)　簽：	暫缺

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ISBN：	9787569044577	出版時間：	2021-12-01	包裝：	平裝-膠訂
開本：	16開	頁數(shù)：		字數(shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書是高等院校實驗課教材。全書共4章，內(nèi)容包括基礎(chǔ)背景知識、上機培訓(xùn)、基礎(chǔ)實驗和綜合實驗設(shè)計。第1章簡明扼要地介紹了有機發(fā)光二極管和有機場效應(yīng)管晶體管的基礎(chǔ)知識，包括器件的工作原理、器件結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)和器件制備工藝等內(nèi)容。第二章主要對儀器的工作原理和使用方法進行講解和說明。本章介紹的儀器包括手套箱、等離子體清洗機、旋涂儀、高真空鍍膜機、薄膜控制儀、自動封裝儀、電致發(fā)光測試儀、光譜測試儀、半導(dǎo)體測試儀（OLED和OFET性能測試方法）和臺階儀。通過此部分學(xué)生可以全面地認識和學(xué)習(xí)相關(guān)的儀器。第3章包括六個實驗：高真空鍍膜機的Tooling Factor標(biāo)定實驗、有機光電材料能級測定實驗、相對量子產(chǎn)率的測定、p型-有機場效應(yīng)晶體管制備與性能測試、ITO界面修飾對半空穴器件性能的影響、TADF-OLED器件制備和性能測試。第4章包括兩個綜合實驗，其內(nèi)容較復(fù)雜，可培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力和創(chuàng)新意識。

作者簡介

　　楊鳳：四川大學(xué)化學(xué)學(xué)院實驗師，博士。研究方向：光電材料和器件的研究、實驗教學(xué)、教學(xué)方法研究、儀器管理和培訓(xùn)等。游勁松：四川大學(xué)化學(xué)學(xué)院院長，教授，博士生導(dǎo)師，博士。研究方向：構(gòu)建有機光電材料的合成化學(xué)基礎(chǔ)，柔性顯示材料與器件，有機電子和空穴傳輸材料。賓正楊：四川大學(xué)化學(xué)學(xué)院副教授，博士。研究方向：有機光電材料與器件。

圖書目錄

第1章背景知識
1.1 有機電致發(fā)光二極管
1.1.1 概述
1.1.2 有機電致發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)
1.1.3 有機電致發(fā)光二極管的工作原理
1.1.4 有機電致發(fā)光二極管的性能指標(biāo)
1.1.5 有機電致發(fā)光二極管的制作工藝
1.2 有機場效應(yīng)晶體管
1.2.1 概述
1.2.2 有機場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)
1.2.3 有機場效應(yīng)晶體管的工作原理
1.2.4 有機場效應(yīng)晶體管的性能指標(biāo)
1.2.5 有機場效應(yīng)晶體管的制作工藝
第2章上機培訓(xùn)
2.1 手套箱
2.1.1 手套箱簡介
2.1.2 手套箱的操作技能培訓(xùn)
2.2 等離子體清洗機
2.2.1 等離子體清洗機簡介
2.2.2 等離子體清洗機的操作技能培訓(xùn)
2.3 旋涂儀
2.3.1 旋涂儀簡介
2.3.2 旋涂儀的操作技能培訓(xùn)
2.4 高真空鍍膜機
2.4.1 高真空鍍膜機簡介
2.4.2 高真空鍍膜機的操作技能培訓(xùn)
2.4.3 Aeres Startup軟件的操作技能培訓(xùn)
2.4.4 薄膜控制儀的操作技能培訓(xùn)
2.5 自動封裝儀
2.5.1 OLED封裝簡介
2.5.2 自動封裝儀的操作技能培訓(xùn)
2.6 OLED性能測試
2.6.1 測試裝置簡介
2.6.2 光譜測試儀的操作技能培訓(xùn)
2.6.3 發(fā)光二極管測試儀的操作技能培訓(xùn)
2.6.4 半導(dǎo)體測試儀與光度計聯(lián)用測試裝置的操作技能培訓(xùn)
2.7 OFET性能測試
2.7.1 測試裝置簡介
2.7.2 轉(zhuǎn)移特性曲線的測試方法
2.7.3 輸出特性曲線的測試方法
2.8 臺階儀
2.8.1 臺階儀簡介
2.8.2 臺階儀的操作技能培訓(xùn)
2.8.3 臺階儀的校準(zhǔn)和維護
第3章基礎(chǔ)實驗
3.1 高真空鍍膜機的Tooling Factor標(biāo)定
3.2 有機光電材料能級參數(shù)的測定
3.3 相對熒光量子產(chǎn)率的測定
3.4 陽極界面修飾對單空穴器件電學(xué)性能的影響
3.5 TADF-OLED制備和性能測試
3.6 OFET制備和性能測試
第4章綜合實驗設(shè)計
4.1 器件結(jié)構(gòu)對OLED光電性能的影響
4.2 三(8-羥基喹啉)鋁光學(xué)特性研究
4.3 柵絕緣層界面修飾對OFET性能的影響