低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理

　　《低維氮化鎵納米材料摻雜改性及磁性機理》系統(tǒng)地研究了低維氮化鎵納米材料的穩(wěn)定性、電子、磁性等性質(zhì)。全書共包括7章：第1章為本書概述；第2章詳細地介紹了*一性原理方法；第3至第7章采用基于密度泛函框架下的*一性原理系統(tǒng)研究了填充GaN納米管、缺陷和摻雜GaN納米帶、吸附和摻雜GaN單層納米片、二維GaN/SiC納米片的穩(wěn)定性、電子、磁學特性和磁性起源機理。

　　陳國祥，男，1979年3月出生，博士，副教授（校聘教授崗位），碩士研究生導師，“新型半導體光電子材料及器件”青年科研創(chuàng)新團隊帶頭人。西安石油大學“青年拔尖人才”，陜西省“青年科技新星”，國家自然科學基金項目同行評議專家，陜西省物理學會會員。2015年起享受陜西省“三秦人才”政府津貼。2015年1月至2016年1月在美國佛羅里達大學物理系進行合作科學研究（訪問學者）。王豆豆， 2012年畢業(yè)于中國科學院西安光學精密機械研究所，獲理學博士學位，現(xiàn)為西安科技大學理學院教師。主要從事納米聚合物材料結(jié)構(gòu)和物性的理論研究。曾作為主要參與者承擔了國家自然科學基金項目“光學聚合物/二氧化鈦有序結(jié)構(gòu)化新材料的設計、制備及應用基礎研究”的大部分研究工作。曾獲陜西省高等學校科學技術(shù)一等獎。合作出版教材4部，先后發(fā)表學術(shù)論文10篇，其中SCI收錄8篇，EI收錄2篇。