大塑性變形及材料微結(jié)構(gòu)表征

前言
第1章 大塑性變形制備超細(xì)晶材料概述
1．1 大塑性變形的原理和工藝
1．1．1 大塑性變形的基本原理
1．1．2 SPD工藝簡介
1．2 有關(guān)大塑性變形的理論研究
1．2．1 細(xì)化機制
1．2．2 SPD過程中形成的顯微織構(gòu)
1．2．3 強化機制
1．2．4 SPD過程對第二相的影響
參考文獻
第2章 X射線衍射分析的理論基礎(chǔ)和應(yīng)用
2．1 X射線衍射分析理論基礎(chǔ)
2．1．1 晶體結(jié)構(gòu)一一點陣、晶胞和原子坐標(biāo)
2．1．2 晶體學(xué)中的對稱操作元素
2．1．3 晶系、點群和空間群
2．1．4 布拉格衍射定律
2．1．5 X射線衍射強度理論基礎(chǔ)
2．2 衍射樣品的制備
2．3 X射線衍射分析的應(yīng)用
2．3．1 晶粒大小和品格畸變的分析
2．3．2 殘余應(yīng)力分析
2．3．3 X射線短波長應(yīng)力測試的新技術(shù)和新裝備
2．3．4 結(jié)晶度的計算
2．3．5 小角X射線散射
2．3．6 人造超品格的測定
2．3．7 薄膜試樣的測定
2．3．8 物相的定量分析
2．3．9 新物相衍射峰的指標(biāo)化
參考文獻
第3章 粉末衍射晶體結(jié)構(gòu)精修
3．1 全譜擬合的理論要點
3．1．1 峰形函數(shù)
3．1．2 峰寬函數(shù)Hk
3．1．3 背景函數(shù)Yib
3．1．4 擇優(yōu)取向校正
3．2 粉末衍射全譜擬合實驗基礎(chǔ)一一高分辨、高準(zhǔn)確的數(shù)字粉末衍射譜
3．3 從頭晶體結(jié)構(gòu)測定
3．3．1 X射線衍射測定單晶結(jié)構(gòu)的一般步驟與傳統(tǒng)粉末法的困難
3．3．2 粉末衍射測定晶體結(jié)構(gòu)的步驟
3．3．3 粉末衍射從頭晶體結(jié)構(gòu)測定舉例
3．3．4 Fullprof運行演示
3．4 全譜擬合法在物相分析中的應(yīng)用
3．4．1 物相定性分析
3．4．2 物相定量分析
參考文獻
第4章 X射線衍射宏觀織構(gòu)表征
4．1 織構(gòu)的定義、分類命名和測試
4．2 極圖的常規(guī)分析
4．3 立方晶系中任意織構(gòu)的理論極圖計算及常見織構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)極圖
4．3．1 理論極圖的計算
4．3．2 常見織構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)極圖
4．3．3 部分理論極圖織構(gòu)的實測驗證
4．4 反極圖的定義與分析
4．5 織構(gòu)的0DF表示法
4．6 0DF分析結(jié)果的驗算及0DF截面圖的特征
4．7 采集極圖數(shù)據(jù)的實驗技巧
參考文獻
第5章 金屬材料在加工中的織構(gòu)與性能
5．1 立方晶體生長織構(gòu)
5．1．1 定向凝固Au鑄態(tài)織構(gòu)
5．1．2 化學(xué)氣相沉積Ta晶體織構(gòu)
5．1．3 離子濺射Ag織構(gòu)
5．1．4 電鍍Au織構(gòu)
5．2 立方結(jié)構(gòu)金屬的變形織構(gòu)和退火織構(gòu)
5．2．1 鍛壓、擠壓和拉拔形成的變形織構(gòu)和退火織構(gòu)
5．2．2 軋制變形織構(gòu)和退火織構(gòu)
5．3 織構(gòu)對抗拉強度的影響
5．3．1 AgCu28合金和純Ag金相組織
5．3．2 AgCu28合金和純Ag的抗拉強度的各向異性
5．4 面心立方金屬材料織構(gòu)與滑移系的關(guān)系
5．4．1 面心立方晶體塑性變形時織構(gòu)與滑移系的關(guān)系
5．4．2 外力F沿（215）方向時滑移系的計算
5．4．3 立方織構(gòu)、剪切織構(gòu)和銅織構(gòu)的滑移系計算
參考文獻
第6章 EBSD微觀織構(gòu)的表征
6．1 EBsD分析中常用的術(shù)語
6．2 EBsD樣品制備方法
6．3 EBSD分析數(shù)據(jù)的采集
6．4 EBSD分析實例
參考文獻
第7章 透射電子衍射斑點分析
7．1 標(biāo)定花樣前需要注意的問題
7．2 花樣特征
7．3 多晶電子衍射譜的標(biāo)定
7．4 單晶帶或零階勞厄帶花樣的指數(shù)標(biāo)定
7．5 多晶帶、高階勞厄帶衍射花樣的標(biāo)定
7．6 透射電鏡電子衍射花樣的應(yīng)用
參考文獻
第8章 掃描電子顯微鏡觀測指南
8．1 圖像干擾類型
8．2 電子探針和試樣的相互作用對圖像質(zhì)量的影響
8．2．1 加速電壓
8．2．2 束流、束斑直徑
8．2．3 邊緣效應(yīng)
8．2．4 試樣傾斜
8．2．5 背散射電子信號
8．2．6 充電
8．2．7 電子束
8．2．8 污染
8．3 操作技術(shù)、樣品制備技術(shù)、外部干擾等對圖像質(zhì)量的影響
8．3．1 工作距離和物鏡光闌
8．3．2 像散
8．3．3 顯微圖片對比度和亮度
8．3．4 為獲得X射線圖像的曝光時間
8．3．5 外部干擾
8．3．6 試樣制備過程中的變形和雜質(zhì)沉積
8．3．7 圖像畸變及其原因
8．3．8 涂層
8．4 設(shè)備缺陷對圖像質(zhì)量的影響
8．4．1 燈絲預(yù)熱不夠
8．4．2 不正確的像散和物鏡光闌對中
8．4．3 探頭的10kV放電
8．4．4 燒壞或骯臟的CRT表面
8．5 技術(shù)術(shù)語
參考文獻
第9章 國產(chǎn)現(xiàn)代分析儀器的進展
9．1 國產(chǎn)短波長X射線衍射應(yīng)力無損分析儀
9．2 國產(chǎn)X射線衍射儀
9．3 國產(chǎn)掃描電鏡
附錄
附錄A Fullprof-Suite軟件的介紹
附錄B Orientation Imaging Microscopy相關(guān)知識