阻變存儲器材料與器件

前言第 1章緒論 1
1.1 存儲器概述 3

1.1.1 易失性存儲器 3

1.1.2 非易失性存儲器 4

1.2 新型非易失性存儲器的研究進展 6

1.2.1 鐵電隨機存儲器 6

1.2.2 磁阻隨機存儲器 7

1.2.3 相變存儲器 8

1.2.4 阻變存儲器 9

參考文獻 9

第 2章阻變存儲器基礎 12

2.1 電阻轉變效應簡介 12

2.2 電阻轉變效應的應用領域 14

2.2.1 阻變隨機存儲器 14

2.2.2 可編程邏輯電路 14

2.2.3 人工神經(jīng)網(wǎng)絡模擬 15

2.3 阻變存儲器的基本結構 15

2.4 阻變存儲器的性能參數(shù) 16

2.5 阻變存儲器的發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀 18

參考文獻 21

第 3章阻變存儲器的材料體系及制備方法 23

3.1 阻變介質材料 23

3.1.1 介質材料概述 23

3.1.2 二元氧化物 25

3.1.3 三元及多元氧化物 29

3.1.4 硫族固態(tài)電解質 30

3.1.5 其他無機材料 31

3.1.6 有機介質材料 32

3.2 電極材料 34

參考文獻 35

第 4章阻變存儲器的電阻轉變機理 40

4.1 金屬導電細絲型阻變存儲器 40

4.1.1 基本特征 40

4.1.2 金屬導電細絲型阻變存儲器的材料體系 42

4.1.3 金屬導電細絲的表征 82

4.1.4 導電細絲的形狀和生長方向 93

4.1.5 導電細絲型阻變存儲器的小型化潛力 102

4.2 氧空位導電細絲型阻變存儲器 103

4.2.1 基本特征 103

4.2.2 典型的氧空位導電細絲型阻變存儲器 105

4.2.3 電初始化過程 138

4.2.4 電極與界面的影響 146

4.3 界面勢壘調節(jié)型阻變存儲器 148

4.3.1 基本特征 148

4.3.2 接觸電阻的本質 149

4.3.3 耗盡層寬度的變化 151

4.3.4 電阻轉變區(qū)域 151

4.3.5 氧空位的作用 153

4.4 電荷俘獲釋放型阻變存儲器 155

4.4.1 基本特征 155

4.4.2 界面陷阱型 156

4.4.3 納米插入層陷阱型 157

4.4.4 均勻分布陷阱型 164

4.5 電致熱化學轉變型阻變存儲器 166

4.5.1 氧化物中的熱化學轉變 167

4.5.2 有機物中的熱化學轉變 170

4.6 其他類型的阻變存儲器 171

4.6.1 無機物中獨特的電阻轉變類型 171

4.6.2 有機物中獨特的電阻轉變類型 174

參考文獻 176

第 5章阻變存儲器的性能優(yōu)化 188

5.1 介質材料的摻雜改性 188

5.1.1 氧化物阻變存儲器的摻雜改性 189

5.1.2 氮化物阻變存儲器的摻雜改性 202

5.2 電極工程 210

5.21 氧離子遷移型器件的電極優(yōu)化 210

5.22 電極的合金化 223

5.23 電極界面形貌的修飾 226

5.3 界面工程 228

5.3.1 金屬插入層對界面的調控 228

5.3.2 氧化物插入層對界面的調控230

5.3.3 其他功能層對界面的調控 232

5.4 多值存儲與量子導電 234

5.4.1 不同電阻轉變機制耦合導致的多值存儲 235

5.4.2 調控導電細絲形態(tài)獲得的多值存儲 241

5.4.3 量子導電行為 244

5.5 器件結構和外圍電路優(yōu)化 253

5.5.1 十字交叉陣列的邊緣效應 253

5.5.2 三維存儲 255

5.5.3 外圍電路優(yōu)化 259

參考文獻 260

第 6章阻變存儲器的集成結構 266

6.1 二極管-電阻器 (1D1R)結構 268

6.2 自整流阻變存儲器結構 271

6.2.1 自整流阻變存儲器概述 271

6.2.2 SiOx基自整流阻變存儲器 273

6.2.3 ZnO基自整流阻變存儲器 277

6.2.4 自整流阻變器件在十字交叉陣列中的驗證 285

6.3 互補型阻變存儲器結構 286

6.3.1 互補型阻變存儲器概述 286

6.3.2 電極材料對互補型電阻轉變特性的影響 290

6.3.3 互補型阻變存儲器的結構簡化 298

6.3.4 三明治結構中的互補型電阻轉變 312

6.4 選通管-電阻器 (1S1R)結構313

6.4.1 雙向選通管器件概述 313

6.4.2 1S1R集成結構的應用實例 315

參考文獻 319

第 7章電阻轉變效應的其他應用 323

7.1 神經(jīng)突觸模擬與仿生 323

7.1.1 神經(jīng)突觸簡介 324

7.1.2 電阻轉變器件模擬神經(jīng)突觸 325

7.1.3 基于 InGaZnO材料的神經(jīng)突觸模擬 329

7.1.4 PEDOT:PSS導電行為的調控與神經(jīng)突觸模擬 338

7.2 電阻轉變行為與其他物理現(xiàn)象的耦合 349

7.2.1 電阻轉變效應對磁性的調制 350

7.2.2 電阻轉變效應與光電效應的耦合 365

7.2.3 電阻轉變器件的超導特性 368

7.3 邏輯電路應用 370

7.3.1 FPGA中的可重構開關 371

7.3.2 基于阻變器件的邏輯門 372

7.3.3 實質蘊涵邏輯門 374
參考文獻 377