真空鍍膜技術(shù)

定　價(jià)：￥59.00

作　者：	張以忱等編著
出版社：	冶金工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：	真空工程技術(shù)叢書(shū)
標(biāo)　簽：	金屬學(xué)與金屬工藝

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ISBN：	9787502450205	出版時(shí)間：	2009-09-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	32開(kāi)	頁(yè)數(shù)：	558	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　《真空鍍膜技術(shù)》共分10章，系統(tǒng)地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本慨念和基礎(chǔ)理論、各種薄膜制備技術(shù)、設(shè)備及工藝、真空卷繞鍍膜技術(shù)、ITO導(dǎo)電玻璃真空鍍膜工藝，尤其重點(diǎn)介紹了一些近年來(lái)新出現(xiàn)的鍍膜方法與技術(shù)，如反應(yīng)磁控濺射鍍膜技術(shù)、中頻磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜技術(shù)等；還詳細(xì)介紹了薄膜沉積及膜厚的監(jiān)控與測(cè)量以及表面與薄膜分析檢測(cè)技術(shù)等方面的內(nèi)容?！墩婵斟兡ぜ夹g(shù)》具有很強(qiáng)的實(shí)用性，適合于真空鍍膜行業(yè)、薄膜與表面應(yīng)用、材料工程、應(yīng)用物理以及與真空鍍膜技術(shù)有關(guān)的行業(yè)從事研究、設(shè)計(jì)、設(shè)備生產(chǎn)操作與維護(hù)的技術(shù)人員，也適用與真空鍍膜技術(shù)相關(guān)的實(shí)驗(yàn)研究人員和學(xué)生，還可用作大專(zhuān)院校相關(guān)專(zhuān)業(yè)師生的教材及參考書(shū)。

作者簡(jiǎn)介

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圖書(shū)目錄

1 薄膜與表面技術(shù)基礎(chǔ)理論
1．1 概述
1．2 固體表面介紹
1．2．1 固體材料
1．2．2 固體表面與界面的基本概念
1．2．3 固體表面與界面的區(qū)別
1．3 表面晶體學(xué)
1．3．1 金屬薄膜的晶體結(jié)構(gòu)
1．3．2 理想的表面結(jié)構(gòu)
1．3．3 表面與體內(nèi)的差異
1．3．4 青潔表面結(jié)構(gòu)
1．3．5 實(shí)際表面結(jié)構(gòu)
1．4 表面特征(熱)力學(xué)
1．4．1 表面力
1．4．2 表面張力與表面自由能
1．4．3 表面擴(kuò)散
1．5 表面電子學(xué)
1．5．1 金屬薄膜中的電遷移現(xiàn)象
1．5．2 曾強(qiáng)薄膜抗電遷移能力的措施
1．6 界面與薄膜附著
1．6．1 界面層
1．6．2 附著及附著力
1．6．3 固體材料表面能對(duì)附著的影響
1．6．4 表面、界面和薄膜的應(yīng)力
1．6．5 增強(qiáng)薄膜附著力的方法
1．7 金屬表面的腐蝕
1．7．1 電化學(xué)腐蝕
1．7．2 金屬的鈍化
1．7．3 全面腐蝕
1．7．4 局部腐蝕
2 真空蒸發(fā)鍍膜
2．1 概述
2．2 真空蒸發(fā)鍍膜原理
2．2．1 真空蒸發(fā)鍍膜的物理過(guò)程
2．2．2 蒸發(fā)過(guò)程中的真空條件
2．2．3 鍍膜過(guò)程中的蒸發(fā)條件
2．2．4 殘余氣體對(duì)膜層的影響
2．2．5 蒸氣粒子在基片上的沉積
2．3 蒸發(fā)源
2．3．1 電阻加熱式蒸發(fā)源
2．3．2 電子槍加熱蒸發(fā)源
2．3．3 感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源
2．3．4 空心熱陰極電子束蒸發(fā)源
2．3．5 激光加熱蒸發(fā)源
2．3．6 電弧加熱蒸發(fā)源
2．4 特殊蒸鍍技術(shù)
2．4．1 閃蒸蒸鍍法
2：4．2 多蒸發(fā)源蒸鍍法
2．4．3 反應(yīng)蒸鍍法
2．4．4 三溫度蒸鍍法
3 真空濺射鍍膜
3．1 濺射鍍膜原理
3．1．1 濺射現(xiàn)象
3．1．2 濺射機(jī)理
3．2 濺射沉積成膜
3．2．1 濺射源
3．2．2 濺射原子的能量與角分布
3．2．3 濺射產(chǎn)額與濺射速率
3．2．4 合金和化合物的濺射
3．2．5 濺射沉積成膜
3．2．6 薄膜的成分與結(jié)構(gòu)
3．2．7 各種粒子轟擊效應(yīng)
3．2．8 濺射沉積速率
3．2．9 薄膜厚度均勻性和純度
3．3 濺射技術(shù)概述
3．4 直流二極濺射
3．5 直流三極或四極濺射
3．6 磁控濺射
3．6．1 磁控濺射工作原理
3．6．2 磁控濺射鍍膜的特點(diǎn)
3．6．3 磁控濺射鍍膜工藝特性
3．6．4 平面磁控濺射靶
3．6．5 圓柱形磁控濺射靶
3．6．6 傳統(tǒng)平面磁控濺射靶存在的問(wèn)題
3．7 射頻(RF)濺射
3．7．1 射頻濺射鍍膜原理
3．7．2 射頻輝光放電特性
3．7．3 射頻濺射裝置
3．8 非平衡磁控濺射
3．8．1 非平衡磁控濺射原理
3．8．2 非平衡磁控濺射與平衡磁控濺射比較
3．8．3 建立非平衡磁控系統(tǒng)的方法
3．8．4 非平衡磁控濺射系統(tǒng)結(jié)構(gòu)形式
3．8．5 非平衡磁控濺射的應(yīng)用
3．9 反應(yīng)磁控濺射
3．9．1 反應(yīng)磁控濺射的機(jī)理
3．9．2 反應(yīng)磁控濺射的特性
3．9．3 反應(yīng)磁控濺射工藝過(guò)程中的主要問(wèn)題
3．9．4 解決反應(yīng)磁控濺射工藝運(yùn)行不穩(wěn)定的措施
3．10 中頻交流反應(yīng)磁控濺射
3．10．1 中頻交流反應(yīng)磁控濺射原理
3．10．2 中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的特點(diǎn)
3．10．3 中頻磁控靶結(jié)構(gòu)形式
3．10．4 中頻磁控靶PEM控制
3．11 非對(duì)稱(chēng)脈沖濺射
3．12 合金膜的濺射沉積
3．13 鐵磁性靶材的濺射沉積
3．13．1 磁控濺射鐵磁性靶材存在的問(wèn)題
3．13．2 磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
3．14 離子束濺射
4 真空離子鍍膜
4．1 離子鍍的類(lèi)型
4．2 真空離子鍍?cè)砑俺赡l件
4．2．1 真空離子鍍?cè)?br />4．2．2 真空離子鍍的成膜條件
4．3 等離子體在離子鍍膜過(guò)程中的作用
4．3．1 放電空間中的粒子行為
4．3．2 離子鍍過(guò)程中的離子轟擊效應(yīng)
4．4 離子鍍中基片負(fù)偏壓的影響
4．5 等離子鍍的離化率與離子能量
4．5．1 離化率
4．5．2 中性粒子和離子的能量
4．5．3 膜層表面的能量活化系數(shù)
4．6 離子鍍膜工藝及其參數(shù)選擇
……
5 真空卷繞鍍膜
6 化學(xué)氣相沉積CVD技術(shù)
7 離子注入與離子輔助沉積技術(shù)
8 ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜工藝
9 薄膜厚度的測(cè)量與監(jiān)控
10 表面與薄膜分析檢測(cè)技術(shù)
參考文獻(xiàn)