固體能帶理論和電子性質(zhì)

1 金屬：Drude模型與Sommerfeld模型
1.1 引言
1.2 關(guān)于金屬，我們知道些什么？
1.3 Drude模型
1.3.1 假設(shè)
1.3.2 弛豫時(shí)間近似
1.4 Drude!模型的失敗
1.4.1 電子熱容
1.4.2 熱導(dǎo)率與Wiedemann-Franz比值
1.4.3 Hall效應(yīng)
1.4.4 小結(jié)
1.5 Sommerfeld模型
1.5.1 量子力學(xué)介紹
1.5.2 FermiDirac：分布函數(shù)
1.5.3 電子態(tài)密度
1.5.4 E≈EF處的電子態(tài)密度
1.5.5 電子比熱容
1.6 Sommerfeld模型的成功與失敗
2 周期勢(shì)場(chǎng)中粒子的量子力學(xué)：Bloch定理
2.1 引言與健康警告
2.2 引入周期勢(shì)
2.3 Born-vonKarman邊界條件
2.4 周期勢(shì)場(chǎng)中的Schr6dinger方程
2.5 Bloch定理
2.6 電子能帶結(jié)構(gòu)
3 近自由電子模型
3.1 引言
3.2 零勢(shì)場(chǎng)
3.2.1 單電子能態(tài)
3.2.2 多簡(jiǎn)并能級(jí)
3.2.3 二簡(jiǎn)并自由電子能級(jí)
3.3 近自由電子模型的結(jié)果
3.3.1 堿金屬
3.3.2 具有偶數(shù)個(gè)價(jià)電子的元素
3.3.3 更多復(fù)雜Fermi面的形狀
4 緊束縛模型
4.1 引言
4.2 來(lái)自單電子能級(jí)的能帶
4.2.1 電子波函數(shù)
4.2.2 簡(jiǎn)單晶體結(jié)構(gòu)
4.2.3 勢(shì)與哈密頓量
4.3 緊束縛能帶構(gòu)成的要點(diǎn)
4.3.1 IA與IIA族金屬；緊束縛模型觀點(diǎn)
4.3.2 IV族元素
4.3.3 過(guò)渡金屬
5 關(guān)于能帶結(jié)構(gòu)的一些要點(diǎn)
5.1 緊束縛的與近自由電子的能帶結(jié)構(gòu)比較
5.2 k的重要性
5.2.1 hk并非動(dòng)量
5.2.2 群速
5.2.3 有效質(zhì)量
5.2.4 有效質(zhì)量與態(tài)密度
5.2.5 k的性質(zhì)小結(jié)
5.2.6 Bloch途徑下的散射
5.3 空穴
5.4 附記
6 半導(dǎo)體與絕緣體
6.1 引言
6.2 Si和Ge的能帶結(jié)構(gòu)
6.2.1 要點(diǎn)
6.2.2 重和輕空穴
6.2.3 光吸收
6.2.4 Si和Ge導(dǎo)帶內(nèi)的等能面
6.3 直接帶隙III-V與II-VI族半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
6.3.1 引言
6.3.2 要點(diǎn)
6.3.3 光吸收與激子
6.3.4 激子
6.3.5 直接帶隙III-V族半導(dǎo)體中的等能面
6.4 2半導(dǎo)體中能帶的熱布居數(shù)
6.4.1 質(zhì)量作用定律
6.4.2 化學(xué)式的運(yùn)動(dòng)
6.4.3 本征載流子密度
6.4.4 雜質(zhì)與非本征載流子
6.4.5 非本征載流子密度
6.4.6 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體
6.4.7 雜質(zhì)帶
6.4.8 它是半導(dǎo)體還是絕緣體？
6.4.9 光電導(dǎo)性的一點(diǎn)注記
7 能帶結(jié)構(gòu)工程
7.1 引言
7.2 半導(dǎo)體合金
7.3 人造結(jié)構(gòu)
7.3.1 半導(dǎo)體多層膜的生長(zhǎng)
7.3.2 襯底與緩沖層
7.3.3 量子阱
7.3.4 量子阱的光學(xué)性質(zhì)
7.3.5 光電子學(xué)中量子阱的使用
7.3.6 超晶格
7.3.7 I型與II型超晶格
7.3.8 異質(zhì)結(jié)與調(diào)制摻雜
7.3.9 包絡(luò)函數(shù)近似
7.4 使用有機(jī)分子的能帶工程
7.4.1 引言
7.4.2 分子組裝
7.4.3 典型Fermi面
7.4.4 關(guān)于Fermi面截面有效維度的一點(diǎn)注記
7.5 層狀導(dǎo)電氧化物
7.6 Peierls轉(zhuǎn)變
8 能帶結(jié)構(gòu)的測(cè)量
8.1 引言
8.2 Lorentz力與軌道
8.2.1 一般考慮
8.2.2 回旋頻率
8.2.3 Fermi面上的軌道
8.3 量子力學(xué)介紹
8.3.1 Landau能級(jí)
8.3.2 Bohr對(duì)應(yīng)原理在磁場(chǎng)中任意形狀Fermi面上的應(yīng)用
8.3.3 軌道面積量子化
8.3.4 磁場(chǎng)中電子態(tài)密度
8.4 量子振蕩現(xiàn)象
8.4.1 量子振蕩的類型
8.4.2 de}taas-vanAlphen效應(yīng)
8.4.3 其他可由量子振蕩推導(dǎo)出的參數(shù)
8.4.4 磁嘩
8.5 回旋共振
8.5.1 金屬中的回旋共振
8.5.2 半導(dǎo)體中的回旋共振
8.6 半導(dǎo)體中的帶問(wèn)磁光學(xué)
8.7 其他技術(shù)
8.7.1 角分辨光電子能譜（ARPES）
8.7.2 電反射光譜
8.8 一些例子
8.8.1 銅
8.8.2 最近的爭(zhēng)論：Sr2RuO4
8.8.3 對(duì)有機(jī)分子金屬Fermi面的研究
8.9 準(zhǔn)粒子：電子間的相互作用
9 金屬和半導(dǎo)體中熱量與電流的傳遞
9.1 簡(jiǎn)短的題外話：若沒(méi)有散射，生活將變得困難
9.2 金屬的熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率
9.2.1 金屬：電子傳遞的“動(dòng)理論
9.2.2 表示什么？
9.2.3 Matthiessen定律
9.2.4 聲子的發(fā)射與吸收
9.2.5 什么是相關(guān)聲子的特征能量？
9.2.6 室溫下電一聲子散射
9.2.7 T的電一聲子散射
9.2.8 低溫相關(guān)性的偏離
9.2.9 甚低溫與／或甚臟金屬
9.2.10 小結(jié)
9.2.11 電子一電子散射
9.3 半導(dǎo)體的電導(dǎo)率
9.3.1 載流子密度的溫度相關(guān)性
9.3.2 遷移率的溫度相關(guān)性
9.4 無(wú)序體系與跳躍電導(dǎo)
9.4.1 熱激活跳躍
9.4.2 變程跳躍
三維體系中的磁阻
二維體系中的磁阻與量子Hall效應(yīng)
半導(dǎo)體中非均勻的與熱載流子分布
A 凝聚態(tài)物理學(xué)中的實(shí)用術(shù)語(yǔ)
B K-空間態(tài)密度的推導(dǎo)
C 分布函數(shù)的推導(dǎo)
D 聲子
E 氫原子的Bohr模型
F 測(cè)量電阻率及Hall效應(yīng)中的實(shí)驗(yàn)考慮
G 正則動(dòng)量
H 超導(dǎo)電性
I 選用符號(hào)列表
J 精選習(xí)題解答與附加提示
索引