納米半導體技術(shù)

第1章　緒論
　1.1　納米半導體材料的定義
　1.2　納米半導體材料的基本特性
　1.3　納米半導體結(jié)構(gòu)材料的制備技術(shù)
　1.4　納米半導體材料的評價技術(shù)
　1.5　納米半導體量子器件
　1.6　納米半導體材料和量子器件研究存在問題和發(fā)展趨勢
　參考文獻
第2章　納米半導體結(jié)構(gòu)材料的制備
　2.1　外延生長基本原理
　2.2　外延生長技術(shù)
　2.3　納米半導體結(jié)構(gòu)材料的生長制備方法
　2.4　應(yīng)變自組裝In（Ga）As/GaAs量子點的生長原理
　2.5　量子點的可控生長技術(shù)
　參考文獻
第3章　納米半導體材料的評價技術(shù)與特性檢測
　3.1　納米半導體材料的評價技術(shù)
　3.2　納米半導體結(jié)構(gòu)特性的檢測
　參考文獻
第4章　納米半導體材料的電子能級結(jié)構(gòu)
　4.1　半導體體材料的能帶結(jié)構(gòu)
　4.2　理想低維半導體結(jié)構(gòu)的電子態(tài)
　4.3　應(yīng)變自組裝In(Ga)As/GaAs量子點的電子態(tài)
　參考文獻
第5章　納米半導體材料的光學性質(zhì)
　5.1　量子尺寸效應(yīng)
　5.2　單量子點光譜
　5.3　外場作用下量子點的光學性質(zhì)
　5.4　量子點中載流子弛豫與聲子　
　5.5?、蛐土孔狱c
　5.6　量子點帶內(nèi)躍遷
　5.7　微腔中量子點的光學性質(zhì)
　參考文獻
第6章　納米半導體結(jié)構(gòu)材料的電學性質(zhì)
　6.1　量子點的電學輸運性質(zhì)
　6.2　磁場中量子點的輸運性質(zhì)——近藤效應(yīng)
　6.3　光譜燒孔效應(yīng)
　參考文獻
第7章　量子級聯(lián)激光器材料與器件
　7.1　半導體激光器發(fā)展的簡要回顧
　7.2　量子級聯(lián)激光器的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢
　7.3　量子級聯(lián)激光器的工作原理
　7.4　量子級聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)與特性
　7.5　量子級聯(lián)激光器的應(yīng)用
　7.6　量子級聯(lián)激光器研究的新進展
　參考文獻
第8章　半導體納米器件及其應(yīng)用
　8.1　量子點激光器
　8.2　量子點超輻射發(fā)光管
　8.3　量子點紅外探測器
　8.4　量子點存儲器件
　8.5　量子點單光子光源和單光子探測器
　8.6　量子點光放大器和量子點光調(diào)制器
　8.7　量子點條形碼和生物成像
　8.8　自旋極化量子點發(fā)光管
　8.9　庫侖阻塞效應(yīng)和單電子器件
　8.10　量子點網(wǎng)絡(luò)自動機
　參考文獻