微電子器件與IC設(shè)計(jì)

第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)
1.1半導(dǎo)體的形成與能帶
1.2本征半導(dǎo)體
1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.4半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.5非平衡載流子
思考題1
習(xí)題1
第2章PN結(jié)
2.1平衡PN結(jié)能帶圖及空間電荷區(qū)
2.2理想PN結(jié)的伏安特性
2.3實(shí)際PN結(jié)的特性
2.4PN結(jié)的擊穿
2.5PN結(jié)的電容
思考題2
習(xí)題2
第3章雙極晶體管(1)
3.1雙極晶體管的結(jié)構(gòu)
3.2雙極晶體管的放大原理
3.3雙極晶體管電流增益
3.4反向直流參數(shù)及基極電阻
3.5雙極晶體管直流伏安特性
思考題3
習(xí)題3
第4章雙極晶體管(2)
4.1交流小信號(hào)電流增益
4.2雙極晶體管頻率特性參數(shù)
4.3雙極晶體管的開關(guān)原理
4.4雙極晶體管的開關(guān)時(shí)間
4.5雙極晶體管大電流特性
4.6晶體管耗散功率及安全工作區(qū)
思考題4
習(xí)題4
第5章結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
5.1JFET結(jié)構(gòu)與工作原理
5.2MESFET
5.3JFET直流特性
5.4直流特性的非理想效應(yīng)
5.5JFET交流小信號(hào)特性
思考題5
習(xí)題5
第6章MOSFET
6.1MOS結(jié)構(gòu)及其特性
6.2MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理
6.3MOSFET閾值電壓
6.4MOSFET直流特性
6.5MOSFET小信號(hào)特性
6.6MOSFET開關(guān)特性
6.7短溝道效應(yīng)及按比例縮小規(guī)則
思考題6
習(xí)題6
第7章異質(zhì)結(jié)器件
7.1異質(zhì)結(jié)
7.2HBT的工作原理與特性
7.3HBT的工藝.結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)
7.4HEMT的原理與特性
7.5HEMT的結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)
思考題7
習(xí)題7
第8章雙極型集成電路
8.1集成電路簡(jiǎn)介
8.2雙極型集成電路中的元件結(jié)構(gòu)與基本制造工藝
8.3雙極型數(shù)字集成電路中的門電路
8.4雙極型模擬集成電路中的基本單元電路
8.5雙極型集成電路的版圖設(shè)計(jì)
思考題8
習(xí)題8
第9章MOS集成電路
9.1MOS集成電路簡(jiǎn)介
9.2MOS集成電路中的基本單元電路
9.3半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)方法和步驟
9.4MOSIC單元電路的版圖設(shè)計(jì)
思考題9
習(xí)題9
參考文獻(xiàn)
附錄