半導體器件物理與工藝（第2版）

定　價：￥55.00

作　者：	（美）施敏（S.M.Sze）著；趙鶴鳴等譯
出版社：	蘇州大學出版社
叢編項：
標　簽：	暫缺

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ISBN：	9787810900157	出版時間：	2002-12-01	包裝：	平裝
開本：	26cm	頁數(shù)：	543	字數(shù)：

內容簡介

　　本書介紹了現(xiàn)代半導體器件的物理原理和先進的工藝技術，它可以作為應用物理、電機工程、電子工程和材料科學領域的本科學生的教材，也可以作為工程師和科學家們需要了解最新器件和技術發(fā)展的參考資料、首先，第1章對土要半導體器件和關鍵技術的發(fā)展作一個簡短的歷史回顧。接著，本書分為三個部分：第1部分（第2、3章）描述半導體的基本特性和它的傳導過程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導體材料上。第l部分的概念將在本書接下來的部分被用到，了解這些概念需要現(xiàn)代物理和微積分的基本知識。第2部分（第4-9章）討論所有土要半導體器件的物理過程和特性。由對大部分半導體器件而言最關鍵的p-n結開始，接下來討論雙極型和場效應器件。最后討論微波、量子效應、熱電子和光電子器件。第3部分（第10-14章）則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術。我們介紹了制作器件時的各個主要步驟，包含理論和實際情況，并特別強調其在集成電路土的壓用。

作者簡介

暫缺《半導體器件物理與工藝（第2版）》作者簡介

圖書目錄

第1章　簡介
1.1　半導體器件
1.2　半導體工藝技術
總結
參考史獻
第1部分　半導體物理
第2章　熱平衡時的能帶和載流于濃度
2.1　半導體捌料
2.2　基本晶體結構
2.3　基本晶體生長技術
2.4　共價健
2.5　能帶
2.6　本征載流子濃度
2.7　施主與受主
總結
參考文獻
習題
第3章　載流子輸運現(xiàn)象
3.1　載流子漂移
3.2　載流子擴散
3.3　產生與復合過程
3.4　連續(xù)性方程斌
3.5　熱電子發(fā)射過程
3.6　隧穿過程
3.7　強電場效應
總結
參考文獻
習題
第2部分　半導體器件
第4章　p-n結
4.1　基本工藝步驟
4.2　熱平衡狀態(tài)
4.3　耗盡區(qū)
4.4　耗盡層勢壘電容
4.5　電流-電壓特性
4.6　電荷儲存與暫態(tài)響應
4.7　結擊穿
4.8　異質結
總結
參考文獻
習題
第5章　雙極型晶體管及相關器件
5.1　晶體管的工作原理
5.2　雙極型晶體管的靜態(tài)特性
5.1　雙極型晶體管的頻率響應與開關特性
5.4　異質結雙極型晶體管
5.5　可控砟器件及相關功率器件
總結
參考文獻
習題
第6章　M0SFET及相關器件
6.1　MOS二極管
6.2　MOSFET基本原理
6.3　MOSFET按比例縮小
6.4　CMOS與雙極型CMoS（BiCMOS）
6.5　絕緣層上MOSPET（SOI）
6.6　MOS存儲器結構
6.7　功率M05FET
總結
參號文獻
習題
第7章　MEsFET及相關器件
7.1　金屬-半導體接觸
7.2　金十場效應晶體管（MESFET）
7.3　調制摻雜場效應晶體管
總結
參考文獻
習題
第8章　微波二極管、量子效應和熱電子器件
8.1　基奉微波技術
8.2　隧道二極管
8.3　碰撞電離雪崩渡越時間二極管
……
第9章　光電器件
第3部分　半導體工藝
第10章　晶體長生外延
第11章　薄膜淀積
第12章　圖形曝光與刻蝕
第13章　雜質摻雜
第14章　集成器件
附表
索引