納米CMOS器件

定　價：￥45.00

作　者：	甘學(xué)溫[等]編著
出版社：	科學(xué)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	納米技術(shù)

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ISBN：	9787030111630	出版時間：	2004-01-01	包裝：	平裝
開本：	24cm	頁數(shù)：	344	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡介

　　本書介紹了縮小到納米尺寸的CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)，以及為改善器件性能而發(fā)展的新工藝、新結(jié)構(gòu)。全書共六章，內(nèi)容涉及CMOS器件等比例縮小的發(fā)展趨勢，縮小到納米尺寸的CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)，實(shí)現(xiàn)納米圖形尺寸的光刻技術(shù)，納米CMOS器件中的柵工程，納米CMOS器件中的溝道工程，以及各種新型的納米CMOS器件結(jié)構(gòu)及實(shí)現(xiàn)技術(shù)。本書取材新穎，基本反映了CMOS器件的最新發(fā)展。本書可作為微電子專業(yè)高年級本科生以及研究生的教學(xué)參考書，對從事CMOS器件和集成電路設(shè)計(jì)與研究的科學(xué)家和工程師也有重要參考價值，信息領(lǐng)域其他專業(yè)的科技人員也可從本書中了解一些微電子技術(shù)的最新進(jìn)展。

作者簡介

暫缺《納米CMOS器件》作者簡介

圖書目錄

序
前言
第一章緒論
第二章縮小到納米尺寸的CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)
2·1器件尺寸縮小對工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)
2·2柵氧化層減薄的限制
2·3量子效應(yīng)的影響
2·4遷移率退化和速度飽和
2·5雜質(zhì)隨機(jī)分布的影響
2·6閾值電壓減小的限制
2·7源、漏區(qū)串聯(lián)電阻的影響
參考文獻(xiàn)
第三章納米CMOS器件的圖形制備技術(shù)
3·1光刻工藝技術(shù)的進(jìn)展
3·2分辨率增強(qiáng)技術(shù)
3·3下一代光刻技術(shù)的研究進(jìn)展
3·4一種實(shí)用的超細(xì)柵線條制備技術(shù)
3·5超細(xì)線條刻蝕技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第四章納米CMOS器件中的柵工程
4·1CMOS器件中的MIS柵結(jié)構(gòu)
4·2氮氧硅柵介質(zhì)
4·3高介電常數(shù)柵介質(zhì)
4·4納米CMOS技術(shù)中的新型柵電極材料
參考文獻(xiàn)
第五章納米CMOS器件的溝道工程和超淺結(jié)技術(shù)
5·1溝道工程要解決的問題
5·2縱向溝道工程
5·3納米CMOS器件中的橫向溝道工程
5·4納米CMOS中的超淺結(jié)和相關(guān)離子摻雜新技術(shù)的發(fā)展
參考文獻(xiàn)
第六章新型納米CMOS器件
6·1新型襯底結(jié)構(gòu)器件
6·2新型柵結(jié)構(gòu)器件
6·3新型溝道結(jié)構(gòu)器件
6·4新型源漏結(jié)構(gòu)器件
6·5新型工作機(jī)制器件
參考文獻(xiàn)
主要符號表