模擬集成電路基礎(chǔ)

常用符號(hào)說明
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 放大器的基本概念
1.3 模擬電子系統(tǒng)舉例
習(xí)題
第2章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)
2.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2.1.1 半導(dǎo)體的特性
2.1.2 半導(dǎo)體的能帶
2.1.3 本征半導(dǎo)體
2.1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體
2.1.5 半導(dǎo)體內(nèi)光與電子的相互作用
2.1.6 載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)
2.2 PN結(jié)
2.2.1 PN結(jié)的形成
2.2.2 PN結(jié)的接觸電位差
2.2.3 PN結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)
2.2.4 PN結(jié)的光電效應(yīng)與電致發(fā)光
2.2.5 PN結(jié)的伏安特性
2.2.6 PN結(jié)的反向擊穿特性
2.2.7 PN結(jié)電容
2.3 半導(dǎo)體二極管
2.3.1 二極管的結(jié)構(gòu)
2.3.2 二極管的伏安特性
2.3.3 二極管的等效電阻
2.3.4 二極管的主要參數(shù)
2.3.5 半導(dǎo)體二極管的模型
2.3.6 穩(wěn)壓二極管
2.3.7 二極管應(yīng)用舉例
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 晶體管的結(jié)構(gòu)
2.4.2 晶體管的工作原理
2.4.3 晶體管的模型
2.4.4 晶體管的特性曲線
2.4.5 晶體管的參數(shù)
2.4.6 溫度對晶體管參數(shù)的影響
2.5 場效應(yīng)晶體管
2.5.1 絕緣柵型場效應(yīng)管
2.5.2 結(jié)型場效應(yīng)管
2.5.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)及特點(diǎn)
2.6 集成化元器件
2.6.1 集成雙極型晶體管
2.6.2 集成二極管
2.6.3 集成MOS管
2.6.4 集成電阻
2.6.5 集成電容
2.6.6 集成化元器件的特點(diǎn)
2.7 半導(dǎo)體管光電器件
2.7.1 半導(dǎo)體發(fā)光器件
2.7.2 半導(dǎo)體光電探測器
習(xí)題
第3章 雙極型模擬集成電路的墓本單元電路
3.1 單管共射放大電路的構(gòu)成
3.2 放大電路的分析方法
3.2.1 靜態(tài)分析
3.2.2 動(dòng)態(tài)分析
3.3 頻率響應(yīng)的基本概念及單管共射放大電路的頻率響應(yīng)
3.3.1 頻率響應(yīng)的基本概念
3.3.2 頻率響應(yīng)的分析方法
3.3.3 單管共射放大電路的高頻響應(yīng)
3.3.4 單管共射放大電路的低頻響應(yīng)
3.4 共集放大電路
3.4.1 共集放大電路的中頻特性
3.4.2 共集放大電路的高頻響應(yīng)
3.5 共基放大電路
3.5.1 共基放大電路的中頻特性
3.5.2 共基放大電路的高頻響應(yīng)
3.6 共射、共集及共基放大電路性能比較
3.7 電流源電路及基本應(yīng)用
3.7.1 常用的電流源電路
3.7.2 電流源的主要應(yīng)用
3.8 差分放大電路
3.8.1 典型差分放大電路的工作原理及性能分析
3.8.2 改進(jìn)型差分放大電路
3.8.3 差分放大電路的失調(diào)與溫漂
3.9 多級(jí)放大電路
3.9.1 直接耦合放大電路的特殊問題
3.9.2 多級(jí)放大電路的中頻特性
3.9.3 多級(jí)放大電路的頻響
3.10 低頻功率放大電路
3.10.1 乙類互補(bǔ)推挽功率放大電路
3.10.2 甲乙類互補(bǔ)推挽功率輸出級(jí)
3.10.3 準(zhǔn)互補(bǔ)推挽功率輸出級(jí)
3.10.4 單電源互補(bǔ)推挽功率輸出級(jí)
3.11 光放大器
3.11.1 光放大器的工作機(jī)理
3.11.2 半導(dǎo)體光放大器
3.11.3 摻餌光纖放大器
3.11.4 光纖拉曼放大器
3.11.5 光放大器的應(yīng)用
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第4章 MOS模擬集成電路的基本單元電路
4.1 MOS場效應(yīng)管的特點(diǎn)
4.2 MOS場效應(yīng)管的模型
4.2.1 MOS場效應(yīng)管的直流模型
4.2.2 MOS場效應(yīng)管的交流小信號(hào)模型
4.3 MOS管三種基本放大電路
4.4 MOS管恒流源負(fù)載
4.4.1 單管增強(qiáng)型有源負(fù)載
4.4.2 單管耗盡型有源負(fù)載
4.4.3 威爾遜電流源有源負(fù)載
4.5 MOS管電流源
4.5.1 MOS管基本電流源
4.5.2 威爾遜電流源
4.5.3 幾何比例電流源
4.6 MOS單級(jí)放大電路
4.6.1 E／E型NMOS單級(jí)放大電路
4.6.2 E／D型NMOS單級(jí)放大電路
4.6.3 CMOS有源負(fù)載放大電路
4.6.4 CMOS互補(bǔ)放大電路
4.6.5 源極跟隨器
4.7 MOS管差分放大電路
4.8 CMOS功率放大電路
4.9 MOS模擬開關(guān)
4.9.1 單管MOS傳輸門模擬開關(guān)
4.9.2 CMOS傳輸門和CMOS模擬開關(guān)
4.9.3 MOS模擬開關(guān)的應(yīng)用舉例
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第5章 負(fù)反饋放大電路
5.1 反饋的基本概念
5.1.1 反饋放大電路的構(gòu)成
5.1.2 基本反饋方程式
5.2 反饋放大器的分類及其判別方法
5.2.1 負(fù)反饋放大器的分類
5.2.2 反饋組態(tài)的判別方法
5.3 負(fù)反饋對放大器性能的影響
5.3.1 負(fù)反饋提高了增益的穩(wěn)定性
5.3.2 負(fù)反饋可展寬放大器的頻帶寬度
5.3.3 負(fù)反饋可改善放大器的非線性失真
5.3.4 負(fù)反饋對放大器輸人阻抗的影響
5.3.5 負(fù)反饋對放大器輸出電阻的影響
5.3.6 信號(hào)源內(nèi)阻對負(fù)反饋放大器性能的影響
5.4 負(fù)反饋放大器的分析方法
5.4.1 等效電路法
5.4.2 方框圖分析法
5.4.3 深負(fù)反饋條件下的近似計(jì)算
5.5 負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性及其相位補(bǔ)償
5.5.1 反饋放大電路自激振蕩的條件
5.5.2 負(fù)反饋放大電路穩(wěn)定性的判別方法
5.5.3 防止負(fù)反饋放大電路自激的方祛
5.6 負(fù)反饋放大器實(shí)例
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第6章 集成運(yùn)算放大器的分析與應(yīng)用
6.1 集成運(yùn)算放大器的組成及基本特性
6.1.1 概述
6.1.2 集成電路的基本結(jié)構(gòu)
6.1.3 模擬集成運(yùn)放的典型電路
6.2 集成運(yùn)算放大器的主要參數(shù)
6.3 線性應(yīng)用及理想運(yùn)放模型
6.3.1 線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用
6.3.2 理想運(yùn)放模型
6.4 基本運(yùn)算電路
6.4.1 比例運(yùn)算電路
6.4.2 加減運(yùn)算電路
6.4.3 積分運(yùn)算和微分運(yùn)算電路
6.4.4 對數(shù)運(yùn)算和指數(shù)運(yùn)算電路
6.5 電壓比較器
6.5.1 單門限電壓比較器
6.5.2 遲滯比較器
6.6 波形發(fā)生電路
6.6.1 矩形波發(fā)生電路
6.6.2 三角波發(fā)生電路
6.6.3 鋸齒波發(fā)生電路
6.7 集成運(yùn)算放大器的其他應(yīng)用
6.7.1 電流-電壓變換電路
6.7.2 RC有源濾波器
6.7.3 測量放大器
6.7.4 雙極性增益可調(diào)放大器
6.7.5 交流耦合放大器
6.7.6 線性穩(wěn)壓電路
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第7章 現(xiàn)代模擬集成電路技術(shù)
7.1 電流模電路
7.1.1 電流模電路的基本概念
7.1.2 跨導(dǎo)線性電路
7.2 電流反饋型集成運(yùn)算放大器
7.2.1 電流反饋集成運(yùn)算放大器的基本特性
7.2.2 電流反饋集成運(yùn)算放大器的典型電路
7.2.3 電流反饋集成運(yùn)算放大器的閉環(huán)特性
7.3 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器
7.3.1 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的典型電路
7.3.2 跨導(dǎo)運(yùn)算放大器的應(yīng)用舉例
7.4 在系統(tǒng)可編程模擬集成電路
7.4.1 在系統(tǒng)可編程模擬電路的結(jié)構(gòu)及工作原理
7.4.2 在系統(tǒng)可編程模擬器件的設(shè)計(jì)應(yīng)用
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第8章 脈沖波形的產(chǎn)生與處理電路
8.1 脈沖信號(hào)與參數(shù)
8.2 半導(dǎo)體器件的開關(guān)特性
8.2.1 二極管的開關(guān)特性
8.2.2 晶體三極管的開關(guān)特件
8.3 邏輯門電路
8.3.1 基本的邏輯運(yùn)算與邏輯門電路
8.3.2 TTL集成邏輯門
8.3.3 CMOS集成邏輯門
8.4 555集成定時(shí)器
8.4.1 CMOS集成定時(shí)器的結(jié)構(gòu)
8.4.2 CMOS集成定時(shí)器的工作原理
8.5 單穩(wěn)觸發(fā)器
8.5.1 用555定時(shí)器構(gòu)成的單穩(wěn)觸發(fā)器
8.5.2 單穩(wěn)觸發(fā)器應(yīng)用舉例
8.6 多諧振蕩器
8.6.1 由門電路構(gòu)成的多諧振蕩器
8.6.2 由555定時(shí)器構(gòu)成的多諧振蕩器
8.7 施密特觸發(fā)器
8.7.1 由555定時(shí)器構(gòu)成的施密特觸發(fā)器
8.7.2 集成施密特觸發(fā)器
8.7.3 施密特觸發(fā)器應(yīng)用舉例
8.8 鋸齒波發(fā)生器
習(xí)題
機(jī)輔分析題
第9章 電子電路計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
9.1 PSpice仿真模型的應(yīng)用
9.1.1 PSpce模型
9.1.2 模型舉例
9.1.3 硬件描述語言中的模型與參數(shù)
9.1.4 仿真分析模型
9.2 電子工作臺(tái)簡介
9.2.1 電子工作臺(tái)概述
9.2.2 電子工作臺(tái)的特點(diǎn)
9.2.3 系統(tǒng)要求
9.2.4 軟件安裝
9.2.5 Electronics Wokbench軟件的使用
9.2.6 Electronics Workbench軟件的電路分析方法
9.3 PAC-Designer軟件及開發(fā)實(shí)例
9.3.1 ispPAC簡介
9.3.2 PAC-Designer對系統(tǒng)的要求
9.3.3 PAC-Drsigner軟件的主要功能
9.3.4 PAC-Designer軟件的安裝
9.3.5 PAC-Designer軟件的使用方法
9.3.6 ispPACho器件的軟件設(shè)計(jì)方法
習(xí)題參考答案
參考文獻(xiàn)