電力電子器件原理與設(shè)計(jì)

定　價(jià)：￥24.00

作　者：	楊晶琦編著
出版社：	國(guó)防工業(yè)出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	電力電子

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當(dāng)當(dāng)網(wǎng) (￥18.00)

ISBN：	9787118021585	出版時(shí)間：	1999-01-01	包裝：	膠版紙
開本：	26cm	頁(yè)數(shù)：	263	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書系統(tǒng)地介紹了主要電力電子器件的結(jié)構(gòu)、工作原理、性能參數(shù)、設(shè)計(jì)方法、制造工藝、相關(guān)技術(shù)及特性仿真。內(nèi)容包括GTR、SCR、CTO等基礎(chǔ)器件的大容量化和最新發(fā)展；先進(jìn)的大功率場(chǎng)控器件MCT、功率MOSFET、IG-BT及其主要派生器件；高頻電力電子領(lǐng)域中理想的自關(guān)斷器件IT、BSIT及SITH；具有邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測(cè)、自診斷功能的智能功率IC和高壓IC；較詳細(xì)地介紹了電力電子器件的計(jì)算機(jī)模擬方法即器件模擬、電路仿真及優(yōu)化設(shè)計(jì)。各章配有習(xí)題與思考題。本書可作為高等院校電子類、電類相關(guān)專業(yè)（如微電子技術(shù)、電力電子技術(shù)等專業(yè)）的高年級(jí)本科生及研究生專業(yè)課教材，也可供從事電力電子器件研制以及電力電子技術(shù)研究的有關(guān)技術(shù)人員參考。

作者簡(jiǎn)介

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圖書目錄

主要符號(hào)表
第一章電力電子器件的發(fā)展概況
1.1 雙極功率晶體管
1.2 晶閘管與可關(guān)斷晶閘管（GTO）
1.3 MOS控制晶閘管（MCT）
1.4 功率MOSFET
1.5 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
1.6 靜電感應(yīng)晶體管（SIT）與靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
1.7 功率集成電路（PIC）
參考文獻(xiàn)
第二章巨型晶體管（GTR）
2.1 達(dá)林頓晶體管
2.2 功率達(dá)林頓器件的版圖設(shè)計(jì)方法
2.3 功率達(dá)林頓器件的給向結(jié)構(gòu)與參數(shù)設(shè)計(jì)
2.4 功率達(dá)林頓晶體管的特性曲線
2.5 GTR模塊及其特點(diǎn)
2.6 GTR的芯片設(shè)計(jì)
2.7 GTR的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2.8 GTR模塊的并聯(lián)作用
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第三章晶閘管與GTO
3.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)及工作原理
3.2 晶閘管的主要參數(shù)及性能
3.3 晶閘管的派生器件
3.4 GTO的結(jié)構(gòu)及最新技術(shù)概況
3.5 GTO的電特性與基本工作原理
3.6 六極關(guān)斷能力及再導(dǎo)通機(jī)理的分析
3.7 大容量GTO的設(shè)計(jì)與制造
3.8 GTO的改進(jìn)
習(xí)題與思考題
第四章 MOS控制晶閘管（MCT）
4.1 MCT的結(jié)構(gòu)及工作原理
4.2 MCT關(guān)斷能力的分析
4.3 MCT的設(shè)計(jì)方法
4.4 MCT器件的改進(jìn)與發(fā)展
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第五章功率MOSFET
5.1 功率MOSFET的種類
5.2 高壓VDMOS器件的結(jié)構(gòu)及工作原理
5.3 高壓VDMOS器件的主要電學(xué)參數(shù)
5.4 高壓VDMOS器件的設(shè)計(jì)方法
5.5 功率VDMOSFET設(shè)計(jì)考慮
習(xí)題與思考題
參考文獻(xiàn)
第六章絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
6.1 IGBT器件的結(jié)構(gòu)及工作原理
6.2 IGBT器件的特性
……
第七章靜電感應(yīng)晶體管（SIT）
第八章靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）
第九章功率集成電路（PIC）
第十章電力電子器件的計(jì)算機(jī)模擬