半導體物理學

主要參數(shù)符號表
第一章半導體中的電子狀態(tài)
§1.1半導體的晶格結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)
§1.2半導體中的電子狀態(tài)和能帶
§1.3半導體中電子的運動有效質(zhì)量
§1.4本征半導體韻導電機構(gòu)空穴
§1.3回旋共振
§1.6硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)
§1.7III—V族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
§1.8II—VI族化合物半導體的能帶結(jié)構(gòu)
習題
參考資料
第二章半導體中雜質(zhì)和缺陷能級
§2.1硅.鍺晶體中的雜質(zhì)能級
§2.21—V族化合物中的雜質(zhì)能級
§2.3缺陷.位錯能級
思考題及習題
參考資料
第三章半導體中載流子的統(tǒng)計分布
§3.1狀態(tài)密度
§3.2費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
§3.3本征半導體的載流子濃度
§3.4雜質(zhì)半導體的載流子濃度
§3.5一般情況下的載流子統(tǒng)計分布
§3.6簡并半導體
補充材料：電子占據(jù)雜質(zhì)能級的幾率
習題
參考資料
第四章半導體的導電性
§4.1載流子的漂移運動遷移率
§4.2載流子的散射
§4.3遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
§4.4電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
§4.5玻耳茲曼方程電導率的統(tǒng)計理論
§4.6強電場下的效應熱載流子
§4.7多能谷散射耿氏效應
習題
參考資料
第五章非平衡載流子
§5.1非平衡載流子的注入與復合
§5.2非平衡載流子的壽命
§5.3準費米能級
§5.4復合理論
§5.5陷阱效應
§5.6載流子的擴散運動
§5.7載流子的漂移運動,愛因斯坦關(guān)系式
§5.8連續(xù)性方程式
習題
參考資料
第六章p-n結(jié)
§6.1p-n結(jié)及其能帶圖
§6.2p-n結(jié)電流電壓特性
§6.3p-n結(jié)電容
§6.4p-n結(jié)擊穿
§6.5p-n結(jié)隧道效應
習題
參考資料
第七章金屬和半導體的接觸
§7.1金屬半導體接觸及其能級圖
§7.2金屬半導體接觸整流理論
§7.3少數(shù)載流子的注入和歐姆接觸
習題
參考資料
第八章半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)
§8.1表面態(tài)
§8.2表面電場效應
§8.3MIS結(jié)構(gòu)的電容—電壓特性
§8.4硅-二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)
§8,5表面電導及遷移率
§8.6表面電場對p-n結(jié)特性的影響
習題
參考資料
第九章異質(zhì)結(jié)
§9.1異質(zhì)結(jié)及其能帶圖
§9.2異質(zhì)結(jié)的電流輸運機構(gòu)
§9.3異質(zhì)結(jié)在器件中的應用
§9.4半導體超晶格
思考題及習題
參考資料
第十章半導體的光學性質(zhì)和光電與發(fā)光現(xiàn)象
§10.1半導體的光學常數(shù)
§10.2半導體的光吸收
§10.3半導體的光電導
§10.4半導體的光生伏特效應
§10.5半導體發(fā)光
§10.6　半導體激光
習題
參考資料
第十一章半導體的熱電性質(zhì)
§11.1熱電效應的一般描述
§11.2半導體的溫差電動勢率
§11.3半導體的珀耳帖效應
§11.4半導體的湯姆孫效應
§11.5半導體的熱導率
§11.6半導體熱電效應的應用
習題
參考資料
第十二章半導體磁和壓阻效應
§12.1霍耳效應
§12.2磁阻效應
§12.3磁光效應
§12.4量子化霍耳效應
§12.5熱磁效應
§12.6光磁電效應
§12.7壓阻效應
§12.8聲波和載流子的相互作用
習題
參考資料
第十三章非晶態(tài)半導體
§13.1非晶態(tài)半導體的結(jié)構(gòu)
§13.2非晶態(tài)半導體中的電子態(tài)
§13.3非晶態(tài)半導體中的缺陷.隙態(tài)與摻雜效應
§13.4非晶態(tài)半導體中的電學性質(zhì)
§13.5非晶態(tài)半導體中的光學性質(zhì)
§13.6a-Si：H的p－n結(jié)與金—半接觸特性
參考資料
附錄
附錄1常用物理常數(shù)和能量表達變換表
附表1－1　　常用物理常數(shù)表
附表1—2能量表達變換表
附錄2半導體材料物理性質(zhì)表
附表2—1族半導體材料的性質(zhì)
附表2—21—V族半導體材料的性質(zhì)
附表2—3II—VI族半導體材料的性質(zhì)
附表2—4IV—VI族半導體材料的性質(zhì)
附表2—5III—V族三元化合物半導體材料的性質(zhì)
參考資料