模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）

定　價(jià)：￥25.00

作　者：	周良權(quán)，傅恩錫，李世馨編
出版社：	高等教育出版社
叢編項(xiàng)：
標(biāo)　簽：	數(shù)字電子技術(shù)

購(gòu)買(mǎi)這本書(shū)可以去

ISBN：	9787040101744	出版時(shí)間：	2001-12-01	包裝：	平裝
開(kāi)本：	26cm	頁(yè)數(shù)：	348	字?jǐn)?shù)：

內(nèi)容簡(jiǎn)介

　　本書(shū)第一版1999年被為教育部高職高專推薦教材，根據(jù)使用第一版教材歷年來(lái)的教學(xué)經(jīng)驗(yàn)并聽(tīng)取眾多院校使用該教材的教師們提出的寶貴意見(jiàn)，在必需夠用的前提下進(jìn)行了修訂，使之更切合高職高專電氣、電子類專業(yè)教學(xué)層次，適應(yīng)規(guī)定的教學(xué)時(shí)數(shù)，使內(nèi)容和編寫(xiě)上更趨合理性及便于教和學(xué)，使學(xué)生能較好掌握模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)。在這次修訂過(guò)程中，大多數(shù)內(nèi)容進(jìn)行整理和重新編寫(xiě)，使概念更為清晰易懂，并在內(nèi)容上作了一定精簡(jiǎn)。主要有以下特點(diǎn)：1．保持原有體系結(jié)夠特點(diǎn)，即器件與電路相結(jié)合介紹，而對(duì)特殊器件的介紹作了一定精簡(jiǎn)敘述。2．基礎(chǔ)理論編寫(xiě)更趨合理精練。如：BJT的放大原理精簡(jiǎn)了公式，BJT的三個(gè)工作區(qū)域列在放大電路之后敘述并緊接著分析非線性失真、對(duì)頻率特性中三個(gè)頻段的定量分析有機(jī)的結(jié)合等等，使之更便于學(xué)習(xí)和理解。3．刪除了一些對(duì)高職高專層次不必要的定量分析，取而代之用定性分析以獲得基本知識(shí)。如：負(fù)反饋放大電路中的輸入輸出電阻的分析及消除自激振蕩的分析等。4．在保持分立元件基礎(chǔ)電路為集成電路服務(wù)的原則下，刪除了某些集成器件內(nèi)部電路的復(fù)雜分析，對(duì)少數(shù)集成器件仍做精簡(jiǎn)介紹，使之有利于使用方法的掌握。5．刪除了一些煩瑣復(fù)雜和占用學(xué)時(shí)較多的應(yīng)用實(shí)例，有利于刪枝保干。如：對(duì)原有集成接近開(kāi)關(guān)的內(nèi)部電路、讀圖練習(xí)的章節(jié)等進(jìn)行了刪除。6．這次修訂中適量介紹一些新器件以擴(kuò)大學(xué)生知識(shí)面。如：介紹了砷化鎵金屬――半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS場(chǎng)效應(yīng)管及一些新型功率半導(dǎo)體器件、8038型函數(shù)波形發(fā)生器等。7．在練習(xí)題方面補(bǔ)充了設(shè)置填充題、是非題和選擇題等題型，并適量保持原有思考題與習(xí)題，目的使學(xué)生能自己檢驗(yàn)和鞏固所學(xué)的基本概念；另外也使學(xué)生了解試題類型，達(dá)到有針對(duì)性地復(fù)習(xí)和掌握知識(shí)的目的。8．在每章前面仍保留教學(xué)基本要求，便于師生了解不同知識(shí)要點(diǎn)要求掌握的程度。本書(shū)適用于高職高專電類各專業(yè)使用，也可供有關(guān)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第2版）》作者簡(jiǎn)介

圖書(shū)目錄

第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用
1.1 PN結(jié)
1.1.1 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體
1.1.2 PN結(jié)的形成
1.1.3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?br /> 1.1.4 PN結(jié)的結(jié)電容
1.2 半導(dǎo)體二極管
1.2.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型
1.2.2 半導(dǎo)體二極管的伏安特性
1.2.3 半導(dǎo)體二極管的使用常識(shí)
1.3 半導(dǎo)體二極管電路的分析方法
1.4 半導(dǎo)體二極管的基本應(yīng)用
1.4.1 單相橋式整流濾波電路
1.4.2 倍壓整流電路
1.4.3 二極管其他應(yīng)用電路舉例
1.5 特殊二極管
1.5.1 穩(wěn)壓管
1.5.2 變?nèi)荻O管
1.5.3 光電器件
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第2章半導(dǎo)體三極管及其基本放大電路
2.1 雙極型三極管
2.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)
2.1.2 BJT的放大原理
2.1.3 BJT的特性曲線
2.1.4 BJT的使用常識(shí)
2.2 共發(fā)射極基本放大電路
2.2.1 共發(fā)射極基本放大電路的組成
2.2.2 共發(fā)射極放大電路的靜態(tài)分析
2.2.3 用圖解法分析動(dòng)態(tài)工作情況
2.2.4 BJT的三個(gè)工作區(qū)域及放大電路的非線性失真
2.2.5 用小信號(hào)模型法分析動(dòng)態(tài)工作情況
2.3 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的放大電路——射極偏置電路
2.3.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
2.3.2 發(fā)射極偏置電路
2.4 共集電極放大電路
2.4.1 電路與靜態(tài)分析
2.4.2 動(dòng)態(tài)分析
2.5 共基極放大電路
2.5.1 電路與靜態(tài)分析
2.5.2 動(dòng)態(tài)分析
2.6 特殊三極管
2.6.1 光電三極管
2.6.2 光電耦合器件
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第3章場(chǎng)效應(yīng)管及其基本放大電路
3.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
3.1.1 JFET的結(jié)構(gòu)
3.1.2 JFET的工作原理和特性曲線
3.2 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管
3.2.1 N溝道增強(qiáng)型MOSFET
3.2.2 N溝道耗盡型MOSFET
3.2.3 P溝道MOSFET簡(jiǎn)介
3.3 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)、特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)
3.3.1 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
3.3.2 場(chǎng)效應(yīng)管的主要特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)
3.4 其他類型場(chǎng)效應(yīng)管
3.4.1 砷化鎵金屬一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
3.4.2 VMOs場(chǎng)效應(yīng)管
3.5 場(chǎng)效應(yīng)管基本放大電路
3.5.1 FET的偏置電路及靜態(tài)分析
3.5.2 FET放大電路的小信號(hào)模型分析法
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第4章放大電路的頻率特性
4.1 頻率特性的概念
4.1.1 基本概念
4.1.2 頻率特性的定性分析及其指標(biāo)
4.2 單級(jí)阻容耦合放大電路頻率特性的定量分析v
4.2.1 BJT的高頻小信號(hào)模型
4.2.2 頻率特性的表達(dá)式
4.2.3 對(duì)數(shù)頻率特性曲線——波特圖
4.2.4 BJT的頻率參數(shù)
4.3 多級(jí)放大電路的頻率特性
4.3.1 多級(jí)放大電路的組成及分析方法
4.3.2 多級(jí)放大電路的頻率特性
4.3.3 共射一共基放大電路的頻率特性
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第5章集成運(yùn)算放大器的基礎(chǔ)
5.1 集成運(yùn)算放大器中的電流源電路
5.1.1 鏡像電流源
5.1.2 微電流源
5.1.3 多路電流源
5.2 差分放大電路
5.2.1 基本差分放大電路
5.2.2 差分放大電路的四種接法
5.2.3 具有恒流源的差分放大電路
5.2.4 場(chǎng)效應(yīng)管差分放大電路
5.3 集成運(yùn)算放大器
5.3.1 集成運(yùn)算放大器的典型結(jié)構(gòu)
5.3.2 集成運(yùn)算放大器的主要參數(shù)與類型
5.4 集成運(yùn)算放大器的分析方法及基本運(yùn)算電路
5.4.1 理想集成運(yùn)放及傳輸特性
5.4.2 基本運(yùn)算電路
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第6章負(fù)反饋放大電路
6.1 反饋的基本概念
6.1.1 反饋的概念
6.1.2 反饋的極性與類型
6.1.3 四種類型的負(fù)反饋組態(tài)
6.2 負(fù)反饋放大電路的方框圖及增益的一般表達(dá)式
6.2.1 負(fù)反饋放大電路的方框圖
6.2.2 負(fù)反饋放大電路增益的一般表達(dá)式
6.3 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響
6.3.1 提高放大電路增益的穩(wěn)定性
6.3.2 減小非線性失真
6.3.3 擴(kuò)展頻帶
6.3.4 對(duì)輸入電阻和輸出電阻的影響
6.4 深度負(fù)反饋放大電路的分析方法
6.4.1 增益的近似表達(dá)式
6.4.2 閉環(huán)輸入電阻和閉環(huán)輸出電阻
6.4.3 深度負(fù)反饋放大電路計(jì)算舉例
6.5 負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性問(wèn)題
6.5.1 產(chǎn)生自激振蕩的條件和原因
6.5.2 負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定判據(jù)和穩(wěn)定裕度
6.5.3 消除自激振蕩的常用方法
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第7章集成運(yùn)算放大器在信號(hào)處理方面的應(yīng)用
7.1 有源濾波電路
‘7.1.1 基本概念
7.1.2 一階低通濾波電路（LPF）
7.1.3 一階高通濾波電路（HPF）
7.1.4 高通濾波電路與低通濾波電路的對(duì)偶性
7.1.5 二階壓控電壓源低通濾波電路
7.1.6 二階壓控電壓源高通濾波電路
7.1.7 帶通濾波電路和帶阻濾波電路
7.1.8 有源濾波電路中阻容元件參數(shù)的計(jì)算
7.1.9 開(kāi)關(guān)電容濾波電路（SCF）
7.2 精密儀用放大電路
7.2.1 概述
7.2.2 精密差分測(cè)量放大電路
7.3 高精度整流電路
7.4 模擬乘法器
7.4.1 模擬乘法器的基本電路及其工作原理
7.4.2 集成模擬乘法器的應(yīng)用
7.5 集成運(yùn)放在使用中的一些問(wèn)題
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第8章信號(hào)發(fā)生電路
8.1 正弦波振蕩電路
8.1.1 正弦波振蕩電路的基礎(chǔ)知識(shí)
8.1.2 RC正弦波振蕩電路
8.1.3 LC正弦波振蕩電路
8.1.4 石英晶體振蕩電路
8.2 非正弦信號(hào)發(fā)生電路
8.2.1 電壓比較器
8.2.2 方波發(fā)生電路
8.2.3 鋸齒波和三角波發(fā)生電路
8.2.4 8038集成函數(shù)波形發(fā)生器
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第9章功率放大電路
9.1 功率放大電路的特殊問(wèn)題
9.2 乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路
9.2.1 雙電源基本互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路（OCL）及其工作原理
9.2.2 乙類雙電源功率放大電路功率參數(shù)分析計(jì)算
9.3 甲乙類互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路
9.3.1 實(shí)用的甲乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路
9.3.2 甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路（OTL）
9.4 集成功率放大器
9.5 功率管的散熱問(wèn)題
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第10章直流穩(wěn)壓電源
10.1 概述
10.2 硅穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路
10.3 具有放大環(huán)節(jié)的串聯(lián)型穩(wěn)壓電路
10.3.1 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的組成和穩(wěn)壓原理
10.3.2 穩(wěn)壓電路的保護(hù)措施
10.4 穩(wěn)壓電路的質(zhì)量指標(biāo)
10.5 集成三端式穩(wěn)壓器
10.5.1 概述
10.5.2 三端式固定輸出集成穩(wěn)壓器
10.5.3 三端式可調(diào)集成穩(wěn)壓器
10.6 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源
10.6.1 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源的特點(diǎn)和類型
10.6.2 自激開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電路的基本工作原理
10.6.3 SW3524——集成單片脈沖調(diào)制式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
第11章電力電子電路
11.1 概述
11.2 晶閘管的結(jié)構(gòu)和工作原理
11.2.1 晶閘管的結(jié)構(gòu)
11.2.2 晶閘管的工作原理
11.2.3 晶閘管的伏安特性和主要參數(shù)
11.3 單相可控整流電路
11.3.1 電阻性負(fù)載的單相半控橋式整流電路
11.3.2 電感性負(fù)載的單相半控橋式整流電路
11.4 觸發(fā)電路
11.4.1 單結(jié)晶體管
11.4.2 單結(jié)晶體管的觸發(fā)電路
11.5 應(yīng)用舉例
自我檢驗(yàn)題
思考題與習(xí)題
附錄美國(guó)、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
主要名詞術(shù)語(yǔ)漢英對(duì)照
參考文獻(xiàn)
部分習(xí)題答案